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本网页提供最新的有关“氮化镓GaN”的文章索引及信息服务。
1 n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究 张跃宗 微纳电子技术 2007 Z1
2 GaN薄膜光学常数的椭圆偏振光谱研究 俞金玲 福州大学学报(自然科学版) 2007 S1
3 GaN基PIN紫外探测器的质子辐照效应 白云 激光与红外 2007 S1
4 氮化镓基雪崩光电二极管的研制 许金通 激光与红外 2007 S1
5 湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用 陈杰 激光与红外 2007 S1
6 Al_xGa_（1-x）N/GaN双量子阱中子带间跃迁的研究 雷双瑛博士 雷双瑛 2007 9
7 AlGaN/GaN P-I-N紫外探测器的电子辐照效应 白云 激光与红外 2007 9
8 GaN HEMT器件22元件小信号模型 刘丹 半导体学报 2007 9
9 GaN MOCVD生长机制的量子化学计算 张禹 材料导报 2007 9
10 GaN基双波长发光二极管电致发光谱特性研究 顾晓玲 物理学报 2007 9
11 NEA GaN光电阴极的制备及其应用 乔建良 红外技术 2007 9
12 Si基磁控溅射Ga_2O_3/Al膜制备GaN一维纳米结构的研究 胡丽君硕士 山东师范大学 2007 9
13 氨化Si基Ga_2O_3/Ti和Ga_2O_3/TiO_2薄膜制备一维GaN纳米结构研究 孙莉莉硕士 山东师范大学 2007 9
14 凹栅AlGaN/GaN HFET 张志国 半导体学报 2007 9
15 氮化铟及氮化镓的制备及特性研究 王福学硕士 山东师范大学 2007 9
16 硅基以ZnO为缓冲层制备GaN薄膜和一维纳米结构的研究 薛守斌硕士 山东师范大学 2007 9
17 脉冲激光沉积GaN薄膜及ZnO缓冲层的影响 杨诚硕士 山东师范大学 2007 9
18 喷淋式GaN-MOCVD反应室的CFD数值仿真及优化 杨云柯 工程力学 2007 9
19 溶胶-凝胶法制备Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5薄膜及GaN MIS结构C-V特性 舒斌 半导体学报 2007 9
20 陀螺状氮化镓基材料的制备和表征 陆红霞 化工新型材料 2007 9
21 一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器 周梅 物理学报 2007 9
22 AlGaN/GaN HEMT E类功率放大器设计 朱磊硕士 电子科技大学 2007 8
23 AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的测试及仿真研究 罗大为硕士 电子科技大学 2007 8
24 GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响 顾晓玲 物理学报 2007 8
25 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 钟飞 半导体学报 2007 8
26 蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响 彭冬生 光子学报 2007 8
27 纳秒级脉冲激光诱导Zn掺杂过程中GaN/Al_2O_3材料的温度分布及热形变解析分析 黄生荣 物理学报 2007 8
28 Al_xGa_（1-x）N/GaN调谐分布布拉格反射镜与单环有源的双环耦合硅基微环共振腔的研究 施炜硕士 深圳大学；施炜 2007 7
29 GaN基光导器件的光电导研究及紫外薄膜材料均匀性测试系统 苏志国硕士 山东大学 2007 7
30 GaN纳米管的理论研究及GaN紧束缚势模型的发展 徐波博士 中国科学技术大学 2007 7
31 InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究 陈志忠 半导体学报 2007 7
32 MOCVD法生长硅基六方相GaN薄膜及其性质研究 洪炜硕士 浙江大学 2007 7
33 p-GaN ICP刻蚀损伤研究 龚欣 半导体学报 2007 7
34 p型氮化镓不同掺杂方法研究 邢艳辉 功能材料 2007 7
35 Roughening surface morphology on free-standing GaN membrane with laser lift-off technique Chinese Science Bulletin 2007 7
36 氮化镓基LED芯片的制备研究 姚雨硕士 华东师范大学 2007 7
37 氮化镓纳米颗粒的制备及性质研究 张全德硕士 山东大学 2007 7
38 非晶GaN薄膜低温沉积及其锡掺杂研究 赵毅硕士 浙江大学 2007 7
39 蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究 苑进社 物理学报 2007 7
40 亲疏水处理度对于GaAs/GaN键合界面透光性的影响 郭晶 半导体学报 2007 7
41 纤锌矿n-GaN室温补偿度解析模型 何菊生 半导体学报 2007 7
42 GaN基HEMT栅终端场板结构研究 默江辉 半导体技术 2007 6
43 GaN基激光器p-GaN欧姆接触的研究 赵德胜硕士 长春理工大学 2007 6
44 n-GaN基Ti/Al/Ni/Au的欧姆接触高温特性 张跃宗 半导体学报 2007 6
45 氮化镓半导体蓝光激光器在我国研制成功 光机电信息 2007 6
46 非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象 苏志国 半导体学报 2007 6
47 辐射感生应力弛豫对Al_mGa_(1-m)N/GaN HEMT电学特性的影响 范隆 物理学报 2007 6
48 基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究 刘杰 物理学报 2007 6
49 极化诱导的内建电场对Mnδ掺杂的GaN/AlGaN量子阱居里温度的调制 申晔 物理学报 2007 6
50 界面极化效应对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结pin探测器光电响应的影响 周建军 半导体学报 2007 6
51 蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长 马平 半导体学报 2007 6
52 蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究 袁凤坡 半导体技术 2007 6
53 利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜外延中的应用 尹志军 半导体学报 2007 6
54 声表面波在AlN/GaN中的传播特性分析 荆二荣 材料导报 2007 6
55 Analysis of the abnormal resistance in AlGaN/GaN heterostructure's ohmic contact tests Rare Metals 2007 5
56 GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系 郭亮良 物理学报 2007 5
57 GaN基半导体异质结构中的应力相关效应 蔡端俊博士 厦门大学 2007 5
58 InGaN/GaN多量子阱的组分确定和晶格常数计算 丁志博 物理学报 2007 5
59 掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究 李诚瞻 电子器件 2007 5
60 高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析 郭亮良 物理学报 2007 5
61 微波功率AlGaN/GaN HFET的二维能带和异质结构设计 薛舫时 中国电子科学研究院学报 2007 5
62 纤锌矿结构的GaAlN/GaN量子阱中电子激发态极化的压力效应(英文) 吴晓薇 内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版) 2007 5
63 AlGaN/GaN HEMT材料外延技术研究 杨红伟 微纳电子技术 2007 4
64 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究 常远程博士 西安电子科技大学 2007 4
65 GaN功率器件模型及其在电路设计中的应用 卢东旭 半导体技术 2007 4
66 Preparation of Porous GaN Buffer and Its Influence on the Residual Stress of GaN Epilayers Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy Journal of Materials Science & Technology 2007 4
67 Si基外延GaN的结构和力学性能 魏同波 材料研究学报 2007 4
68 低速高电荷态重离子在GaN单晶中引起的辐照损伤研究 杨义涛 核技术 2007 4
69 高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 刘宗顺 半导体学报 2007 4
70 功率型GaN基LED静电保护方法研究 王立彬 半导体光电 2007 4
71 基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计 姚小江 电子器件 2007 4
72 基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计(英文) 姚小江 半导体学报 2007 4
73 基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制 孙佳胤 功能材料与器件学报 2007 4
74 溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能 潘孝军 无机材料学报 2007 4
75 溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能 潘孝军 无机材料学报 2007 4
76 美国HRL实验室在高频GaN研制上取得重大突破 曹杨 半导体信息 2007 4
77 热退火对Mg掺杂InGaN/GaN异质结特性的影响 刘中涛 半导体光电 2007 4
78 日立电线试制出3英寸GaN底板 稀土信息 2007 4
79 日立公司成功开发3英寸GaN衬底 孙再吉 半导体信息 2007 4
80 入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响 郑树文 量子电子学报 2007 4
81 生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性 牛南辉 光电子.激光 2007 4
82 松下公司GaN LED的突破 孙再吉 半导体信息 2007 4
83 新型复合沟道Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.05)Ga_(0.95)N/GaN HEMT低相位噪声微波单片集成压控振荡器(英文) 程知群 红外与毫米波学报 2007 4
84 氧化锌 氧化铈 氮化镓和氧化铋等纳米材料的制备及其性能研究 吕伟博士 山东大学 2007 4
85 一种新的AlGaN/GaN HEMT小信号模型与提参方法 鲁净 半导体学报 2007 4
86 用原子力显微镜和扫描电镜研究GaN外延层中的位错腐蚀坑(英文) 高志远 半导体学报 2007 4
87 4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT 任春江 固体电子学研究与进展 2007 3
88 A study on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films WEN Cheng Paul Rare Metals 2007 3
89 AlGaN/GaN HEMT的B~+注入隔离 李肖 固体电子学研究与进展 2007 3
90 AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究 严地 半导体技术 2007 3
91 AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究 卢盛辉 固体电子学研究与进展 2007 3
92 GaN基发光二极管寿命测试及失效分析 周跃平 半导体光电 2007 3
93 GaN基蓝光发光二极管峰值波长偏移的研究 林巧明 半导体光电 2007 3
94 InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长 沈光地 半导体光电 2007 3
95 MOCVD生长GaN力学性能研究 魏同波 稀有金属材料与工程 2007 3
96 MOVPE生长的InGaN/GaN单量子阱的光致发光和光吸收特性(英文) 王玥 发光学报 2007 3
97 Parameter-Dependent Third-Order Susceptibility of In_xGa_(1-x)N/GaN Parabolic Quantum Dots Wuhan University Journal of Natural Sciences 2007 3
98 X-波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC 陈堂胜 固体电子学研究与进展 2007 3
99 掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究 宋淑芳 物理学报 2007 3
100 氮化衬底对MOCVD生长GaN的影响 李述体 华南师范大学学报(自然科学版) 2007 3
101 调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响 许敏 半导体技术 2007 3
102 基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制 陈晓娟 电子器件 2007 3
103 晶格匹配氮化镓和氧化锌基外延薄膜衬底材料ScAlMgO_4晶体生长研究 唐慧丽 人工晶体学报 2007 3
104 静电对Si衬底GaN基蓝光LED老化寿命的影响 乐淑萍 南昌大学学报(理科版) 2007 3
105 耦合GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点的非线性光学性质 危书义 液晶与显示 2007 3
106 温度对AlGaN/GaN HEMT电学性能的影响 任春江 固体电子学研究与进展 2007 3
107 用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能(英文) 姚雨 液晶与显示 2007 3
108 用改进算法提取GaN HEMT小信号等效电路模型 朱磊 微纳电子技术 2007 3
109 有限元法计算GaN/AlN量子点结构中的电子结构 梁双 物理学报 2007 3
110 正电子对ZnO和GaN宽带隙半导体中缺陷的研究 彭成晓博士 中国科学技术大学 2007 3
111 正装、倒装结构GaN基LED提取效率分析 刘志强 电子器件 2007 3
112 Theoretical study of Structural and analytical potential energy functions of GaN 科技信息(学术研究) 2007 23
113 6H-SiC(0001)衬底结构对GaN膜结构的影响第一原理研究 辛永松 河南师范大学学报(自然科学版) 2007 2
114 7.5～9.5GHz AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管 王帅 固体电子学研究与进展 2007 2
115 AlGaN/GaN HFET的优化设计 薛舫时 固体电子学研究与进展 2007 2
116 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型(英文) 常远程 电子器件 2007 2
117 Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究 李彤 物理学报 2007 2
118 GaN发光二极管表观电容极值分析 谭延亮 发光学报 2007 2
119 GaN体单晶生长技术研究现状 徐永宽 半导体技术 2007 2
120 Lateral Epitaxy Overgrown(LEO)GaN导热系数的数值研究 于新刚 工程热物理学报 2007 2
121 PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p-GaN的影响 陈宇 红外与激光工程 2007 2
122 p型氮化镓退火及发光二极管研究 邢艳辉 固体电子学研究与进展 2007 2
123 Si基扩镓溅射Ga_2O_3反应自组装GaN薄膜 孙振翠 山东交通学院学报 2007 2
124 氨化Si基Ga_2O_3/In制备GaN薄膜 王福学 功能材料 2007 2
125 氨化Si基Ga_2O_3/Ti制备GaN纳米线 孙莉莉 功能材料 2007 2
126 不同钝化介质层对AlGaN/GaN异质结二维电子气密度的影响 陈国强 南京工程学院学报(自然科学版) 2007 2
127 采用氨化技术制备成簇生长的光滑线状氮化镓 孙莉莉 微细加工技术 2007 2
128 低p-GaN欧姆接触电阻的研究 尹以安 光电子.激光 2007 2
129 反向流动垂直喷淋式MOCVD反应器生长GaN的化学反应数值模拟 徐谦 人工晶体学报 2007 2
130 负电子亲和势氮化镓光电阴极 李慧蕊 光电子技术 2007 2
131 过量镁掺杂的p-GaN的变温霍尔效应研究 周淑菊 烟台大学学报(自然科学与工程版) 2007 2
132 激光溅射沉积制备的氮化镓表面形貌分析 邹倩 山东师范大学学报(自然科学版) 2007 2
133 溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用 艾玉杰 功能材料 2007 2
134 两步法工艺制备GaN纳米晶 张华 山东理工大学学报(自然科学版) 2007 2
135 偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析 薛丽君 固体电子学研究与进展 2007 2
136 氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展 陈洪建 河北工业大学学报 2007 2
137 纤锌矿GaN薄膜光学性质的研究 李雪 光子学报 2007 2
138 性能优异的氮化镓 蒂姆·雷德福 金属世界 2007 2
139 选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展 张帷 半导体技术 2007 2
140 栅脉冲条件下GaN MESFET电子温度分布仿真 罗大为 微纳电子技术 2007 2
141 “目标是达到像水晶一样的尺寸”——UCSB利用氨热法试制出GaN结晶 现代显示 2007 10
142 AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性 周忠堂 物理学报 2007 10
143 r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延生长a面GaN薄膜及应力研究 颜建锋 半导体学报 2007 10
144 氨化Si基Ga_2O_3/In_2O_3制备GaN薄膜 薛成山 功能材料 2007 10
145 电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响 张剑铭 物理学报 2007 10
146 优化GaN基发光二极管的电极 毛明华 半导体技术 2007 10
147 408nm InGaN/GaN LED的材料生长及器件光学特性 王晓华 半导体学报 2007 1
148 AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展 裴风丽 半导体技术 2007 1
149 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管小信号等效电路的参数提取(英文) 常远程 电子器件 2007 1
150 Analysis of I-V Thermal Characteristic on GaN-based p-i-n Ultraviolet Detector Semiconductor Photonics and Technology 2007 1
151 Cree新厂投产SiC和GaN先进电子器件 陈裕权 半导体信息 2007 1
152 Effects of growth interruption on the properties of InGaN/GaN MQWs grown by MOCVD Optoelectronics Letters 2007 1
153 Formation of GaN Nanowires by Ammoniating Ga_2O_3 Films Deposited on Oxidized Al Layers on Si Substrate Semiconductor Photonics and Technology 2007 1
154 GaN/AlN量子点结构中的应变分布和压电效应 梁双 半导体学报 2007 1
155 GaN半导体中InN量子点的结构性质(英文) 陈珊珊 发光学报 2007 1
156 GAN标准及安全性研究 张世铭 科技咨询导报 2007 1
157 GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化 潘华璞 发光学报 2007 1
158 GaN基p-i-n结构紫外光探测器 谢雪松 半导体光电 2007 1
159 GaN基白光LED电流加速老化特性研究 乐淑萍 南昌航空工业学院学报(自然科学版) 2007 1
160 GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的研制 陈小红 厦门大学学报(自然科学版) 2007 1
161 GaN开发商在追求错误的市场 陈裕权 半导体信息 2007 1
162 GaN器件需要更好的衬底 陈裕权 半导体信息 2007 1
163 GaN肖特基SIT的Monte Carlo模拟 郭宝增 固体电子学研究与进展 2007 1
164 HVPE生长GaN厚膜的结构和光学性能(英文) 魏同波 半导体学报 2007 1
165 ICP刻蚀损伤对n-Ga N-Ni/Au肖特基接触特性的影响 刘杰 半导体技术 2007 1
166 InGaN量子阱的微观特性(英文) 林伟 发光学报 2007 1
167 MOCVD制备In_xGa_(1-x)N/GaN MQWs的温度依赖性 李培咸 光子学报 2007 1
168 NEC推出世界上功率最大的GaN放大器 陈裕权 半导体信息 2007 1
169 n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应 谢宛玲硕士 四川大学 2007 1
170 X-波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC 陈堂胜 固体电子学研究与进展 2007 1
171 采用SiN薄层的非极性GaN基器件 陈裕权 半导体信息 2007 1
172 氮化ZnO/Ga_2O_3薄膜合成GaN纳米管 庄惠照 材料科学与工艺 2007 1
173 氮化镓低维纳米结构的制备与表征 吕伟 山东大学学报(工学版) 2007 1
174 钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响 马香柏 半导体学报 2007 1
175 高压下GaAs，GaN和MgO物性的第一性原理计算 逯来玉硕士 四川大学 2007 1
176 基于RHEED图像外延GaN基薄膜表面晶格演变分析 郎佳红 安徽工业大学学报(自然科学版) 2007 1
177 激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底 方圆 激光与红外 2007 1
178 激光剥离技术制备GaN/metal/Si的结构和光学特性研究 王婷 功能材料 2007 1
179 应力对GaN HEMT器件电流崩塌的影响 马香柏 微电子学 2007 1
180 栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究 龙飞 电子器件 2007 1
181 Atomic core structure of 90°c~ bent screw threading dislocations in wurtzite GaN BELABBAS Imad 稀有金属(英文版) 2006 S2
182 Effect of AlN intermediate layer on growing GaN film by hydride vapor phase epitaxy NOUET Gérard2 稀有金属(英文版) 2006 S2
183 Growth of high-quality thick GaN using a tungsten interlayer NOUET Gérard 稀有金属(英文版) 2006 S2
184 Influence of crystal structure and formation energies of impurities (Mg, Zn and Ca) in zinc blende GaN 熊志华 中国有色金属学会会刊(英文版) 2006 S2
185 Research on fabrication and properties of nanoporous GaN epilayers NOUET Gérard 稀有金属(英文版) 2006 S2
186 氨化磁控溅射Ga_2O_3／BN薄膜制备GaN纳米棒 吴玉新 稀有金属材料与工程 2006 S2
187 金属有机化学汽相淀积生长的本征氮化镓中持续光电导和复合机制的研究(英文) 邓冬梅 稀有金属材料与工程 2006 S2
188 溶胶-凝胶法制备GaN颗粒 刘亦安 稀有金属材料与工程 2006 S2
189 Dislocation of Cz-sapphire substrate for GaN growth by chemical etching method 牛新环 中国有色金属学会会刊(英文版) 2006 S1
190 AlGaN势垒层应变弛豫度对高Al含量Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT性能的影响 杨燕 中国科学(E辑:信息科学) 2006 9
191 MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构(英文) 王晓亮 半导体学报 2006 9
192 npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析 龚欣 半导体学报 2006 9
193 Si衬底GaN基同侧结构蓝光LED电致发光特性研究 李有群硕士 南昌大学 2006 9
194 The finding of natural GaN crystals in sediments from the East Pacific Ocean 科学通报(英文版) 2006 9
195 ZnO薄膜的MOCVD生长及GaN/Si绿光LED特性研究 王立博士 南昌大学 2006 9
196 电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析 吴玉新 功能材料 2006 9
197 硅衬底GaN材料生长及其LED老化性能研究 程海英硕士 南昌大学 2006 9
198 硅衬底GaN基蓝光LED材料生长及器件研制 莫春兰博士 南昌大学 2006 9
199 硅衬底ZnO/GaN半导体材料生长及LED器件寿命研究 邵碧琳硕士 南昌大学 2006 9
200 硅衬底ZnO半导体材料生长及GaN/Si白光LED老化研究 方芳硕士 南昌大学 2006 9
201 硅基ZnO材料生长与硅基GaN交通绿LED老化性能研究 李冬梅硕士 南昌大学 2006 9
202 利用高分辨X射线衍射仪表征GaN/Al_2O_3薄膜结构特性 肖祁陵硕士 南昌大学 2006 9
203 两步刻蚀法去除GaN-LED刻蚀中引入的损伤 宋颖娉 半导体学报 2006 9
204 注入剂量对300℃下Mn~+注入p型GaN薄膜的结构和磁性影响 石瑛 功能材料 2006 9
205 Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响 隋妍萍 光电子.激光 2006 8
206 Ⅲ-V族化合物半导体材料GaN外延膜和InAs量子点的制备及光学特性研究 杨景海博士 吉林大学；杨景海 2006 8
207 AlGaN/GaN HEMT高场应力退化及紫外光辐照的研究 王冲 半导体学报 2006 8
208 GaN掺Cr材料的局域电子结构和磁性 蔺何 科学通报 2006 8
209 GaN基激光器电子阻挡层的优化分析 李倜 半导体学报 2006 8
210 GaN基蓝光大功率发光二极管的研制 邹德恕 激光与光电子学进展 2006 8
211 GaN元器件在设备发展中大显神通 大久保聪 电子设计应用 2006 8
212 p-GaN/Au欧姆接触的研究 成彩晶 红外 2006 8
213 δ掺杂对Si衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究 程海英 光学学报 2006 8
214 氮化镓材料中深能级的研究 邓冬梅硕士 辽宁大学 2006 8
215 硅基镁催化氮化镓一维纳米结构的制备及其显微特性的研究 田德恒硕士 山东师范大学 2006 8
216 溶胶—凝胶法制备Ga_2O_3反应自组形成GaN颗粒的研究 刘亦安硕士 山东师范大学 2006 8
217 外延GaN基薄膜表面晶体结构RHEED图像研究 郎佳红 半导体技术 2006 8
218 线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性 陈志涛 半导体学报 2006 8
219 一维GaN纳米结构和GaN薄膜的制备及其特性研究 吴玉新硕士 山东师范大学 2006 8
220 AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型 郝跃 物理学报 2006 7
221 AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质 陶春旻 半导体学报 2006 7
222 Cl_2基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN的工艺 刘北平 半导体学报 2006 7
223 GaMnN稀磁半导体的ECR-PEMOCVD生长研究 马世猛硕士 大连理工大学 2006 7
224 GaN生长中氮化工艺及GaMnN薄膜生长研究 孙万峰硕士 大连理工大学 2006 7
225 Integration of GaN thin films with silicon substrates by fusion bonding and laser lift-off 王婷 中国光学快报(英文版) 2006 7
226 Si基外延GaN中缺陷的研究 赵丽伟硕士 河北工业大学 2006 7
227 硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能 熊传兵 中国科学(E辑:信息科学) 2006 7
228 蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性 张志国 半导体学报 2006 7
229 稀掺杂GaN_xAs_(1-x)(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究 王茺 物理学报 2006 7
230 纤锌矿GaN载流子输运的蒙特卡罗模拟 张培增硕士 兰州大学 2006 7
231 一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法 彭冬生 物理学报 2006 7
232 AFRL开发出首只GaN/金刚石HEMT 陈裕权 半导体信息 2006 6
233 AlGaN/GaN HEMT在N_2中高温退火研究 王冲 西安电子科技大学学报 2006 6
234 AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系 李诚瞻 半导体学报 2006 6
235 Cree推出400W S波段RF GaN晶体管 陈裕权 半导体信息 2006 6
236 f_T为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件(英文) 郑英奎 半导体学报 2006 6
237 GaN HFET沟道中的电子态转换和沟道右势垒剪裁 薛舫时 中国电子科学研究院学报 2006 6
238 GaNHEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨 靳翀 微纳电子技术 2006 6
239 GaN基HEMT场板结构研究进展 默江辉 半导体技术 2006 6
240 GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究 罗谦 微电子学 2006 6
241 GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响 孙重清 量子电子学报 2006 6
242 GaN蓝光LED电极接触电阻的优化 裴风丽 半导体光电 2006 6
243 Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量 卫静婷 液晶与显示 2006 6
244 Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析 丁志博 物理学报 2006 6
245 Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示 赵丽伟 半导体学报 2006 6
246 采用阳极氧化铝做掩膜生长氮化镓膜 雷本亮 功能材料与器件学报 2006 6
247 氮化镓粉末的溶胶凝胶法制备及其结构 刘亦安 物理化学学报 2006 6
248 氮化镓干法刻蚀研究进展 王冲 半导体技术 2006 6
249 电流拥挤效应对GaN基发光二极管可靠性的影响 艾伟伟 激光与红外 2006 6
250 高质量GaN/Al_2O_3薄膜的三晶高分辨X射线衍射研究 肖祁陵 功能材料与器件学报 2006 6
251 韩国三星采用新技术增强GaN基LED亮度 孙再吉 半导体信息 2006 6
252 基于Ni/Ag/Pt的P型GaN欧姆接触 马洪霞 光电子.激光 2006 6
253 基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合 王慧 半导体学报 2006 6
254 射频等离子体辅助MBE生长GaN及Mg掺杂的光致发光 隋妍萍 发光学报 2006 6
255 Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN二维电子气中的弱局域和反弱局域效应 朱博 物理学报 2006 5
256 CW输出功率为141W的AlGaN/GaN凹栅MISFET 陈裕权 半导体信息 2006 5
257 GaN薄膜及纳米棒的制备和表征 杨志祥硕士 浙江大学 2006 5
258 GaN高电子迁移率高功率晶体管 章从福 半导体信息 2006 5
259 InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究 牛南辉 光电子.激光 2006 5
260 Mg~+注入对GaN晶体辐射损伤的研究 蒙康 物理学报 2006 5
261 p型GaN材料上的欧姆接触 赵鸿燕 航空兵器 2006 5
262 TDI量产2英寸GaN 陈裕权 半导体信息 2006 5
263 变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性 王冲 半导体学报 2006 5
264 带有AlN插入层的GaN薄膜的结构及应变研究 侯利娜 原子能科学技术 2006 5
265 高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器 游达 半导体学报 2006 5
266 高质量氮化镓纳米线的结构表征 李春华 电子显微学报 2006 5
267 基于ISE的AlGaN／GaN HEMT的C-V转移特性模拟 鲁小妹 闽江学院学报 2006 5
268 蓝宝石衬底上GaN薄膜的结构和光学特性表征 郜小勇 人工晶体学报 2006 5
269 四芯片GaN FET的输出功率达到174W 陈裕权 半导体信息 2006 5
270 纤锌矿相GaN空穴输运特性的Monte Carlo模拟研究 郭宝增 物理学报 2006 5
271 一维ZnO、GaN纳米材料的制备和表征 张阳硕士 浙江大学 2006 5
272 一维氮化镓纳米材料的制备 郝瑞 大学化学 2006 5
273 AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展 王敬蕊 真空科学与技术学报 2006 4
274 Deposition of GaN thin film on ZnO/Si by DIBD method 光电子快报(英文版) 2006 4
275 Ga_2O_3氮化法合成GaN粉体的研究 殷立雄 硅酸盐通报 2006 4
276 GaN/AlN自组织平顶金字塔量子点的应变场分布 刘玉敏 光电子.激光 2006 4
277 GaN基MSM结构紫外探测器光响应特性 周飞跃 半导体光电 2006 4
278 IMEC生产出具有高一致性AlGaN/GaN外延层的150mm硅圆片 程文芳 半导体信息 2006 4
279 Impact of strain relaxation of AlGaN barrier layer on the performance of high Al-content AlGaN/GaN HEMT 中国科学(E辑:技术科学)(英文版) 2006 4
280 Kyma推出非极性和半极性GaN衬底 陈裕权 半导体信息 2006 4
281 n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管 矫淑杰 发光学报 2006 4
282 SiO_2钝化膜对i-GaN肖特基探测器性能的影响 何政 半导体光电 2006 4
283 STMicroelectronics制造出GaN/Si(001)HEMT 陈裕权 半导体信息 2006 4
284 氨化Ga_2O_3/TiO_2/Si薄膜制备GaN纳米线 孙莉莉 纳米技术与精密工程 2006 4
285 采用溶胶凝胶前驱物制备氮化镓纳米晶体 邱海林 人工晶体学报 2006 4
286 氮化镓(GaN)纳米材料的制备 赵永生 长江大学学报(自科版)医学卷 2006 4
287 低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂 冯玉春 人工晶体学报 2006 4
288 非极性GaN薄膜及其衬底材料 周健华 人工晶体学报 2006 4
289 感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN 王冲 西安电子科技大学学报 2006 4
290 溅射后氨化法制备氮化镓薄膜技术综述 孙莉莉 山东师范大学学报(自然科学版) 2006 4
291 可见光对GaN基紫外焦平面读出电路的影响 贾寒昕 半导体光电 2006 4
292 蓝宝石上生长GaN外延层的一种改良技术 陈裕权 半导体信息 2006 4
293 内建电场对纤锌矿In_xGa_(1-x)N/GaN单量子点光学特性的影响 赵旭 河南师范大学学报(自然科学版) 2006 4
294 纳米孔氮化镓材料的制备和研究 王笑龙 功能材料与器件学报 2006 4
295 纳米孔氮化镓材料的制备和研究 王笑龙 功能材料与器件学报 2006 4
296 世界上首块GaN/金刚石晶片 陈裕权 半导体信息 2006 4
297 退火温度和ZnO缓冲层对氨化Ga_2O_3/ZnO薄膜合成GaN纳米结构的影响 王书运 材料科学与工程学报 2006 4
298 微波数字基站用上GaN晶体管 程文芳 半导体信息 2006 4
299 纤锌矿In-xGa_(1-x)N/GaN量子阱中的界面声子模 危书义 液晶与显示 2006 4
300 用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文) 苏月永 发光学报 2006 4
301 用于高质量InGaN/GaN MQWs制备的MOCVD配气系统 李培咸 真空科学与技术学报 2006 4
302 原子力显微镜在GaN研究中的应用 王其民 现代仪器 2006 4
303 4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进 王冲 功能材料与器件学报 2006 3
304 Cl_2/BCl_3ICP刻蚀GaN基LED的规律研究 宋颖娉 微纳电子技术 2006 3
305 Different properties of GaN-based LED grown on Si(111) and transferred onto new substrate 中国科学(E辑:技术科学)(英文版) 2006 3
306 GaN薄膜表面缺陷密度的提取 王俊平 微电子学与计算机 2006 3
307 GaN的ECR-PEMOCVD生长中衬底清洗和氮化的分析 马世猛 半导体技术 2006 3
308 GaN基白光LED的结温测量 陈挺 发光学报 2006 3
309 GaN基材料局域光学厚度均匀性的检测方法 陈贵宾 激光技术 2006 3
310 GaN基发光二极管的可靠性研究进展 艾伟伟 半导体技术 2006 3
311 GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析 钱可元 半导体光电 2006 3
312 GaN基紫外探测器及其研究进展 李向阳 红外与激光工程 2006 3
313 GaN氢化物气相外延生长系统的设计与制作 卢佃清 物理实验 2006 3
314 InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究 刘诗文 半导体光电 2006 3
315 InGaN/GaN量子点中三阶非线性光学极化率的研究 刘黎明硕士 武汉大学 2006 3
316 InGaN/GaN量子阱中的非线性光学性质研究 李俊杰硕士 武汉大学 2006 3
317 n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应 谢宛玲 光散射学报 2006 3
318 p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究 刘乃鑫 物理学报 2006 3
319 表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性 张开骁 物理学报 2006 3
320 表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究 赵子奇 微纳电子技术 2006 3
321 采用陶瓷衬底来提高GaN HEMT性能 孙再吉 半导体信息 2006 3
322 掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究 宋淑芳 物理学报 2006 3
323 掺铕GaN薄膜的Raman散射研究 张春光 中国稀土学报 2006 3
324 超高真空俄歇电子能谱原位加热和GaN热效应研究(英文) 徐富春 化学物理学报(英文版) 2006 3
325 高跨导AlGaN/GaN HFET器件研究 张志国 固体电子学研究与进展 2006 3
326 激光剥离Al_2O_3/GaN中GaN材料温度场的模拟 王婷 光电工程 2006 3
327 极化电场对Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质的影响(英文) 雷双英 半导体学报 2006 3
328 蓝宝石衬底上侧向外延GaN中的位错降低(英文) 陈俊 半导体学报 2006 3
329 镁流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜特性的影响 牛南辉 固体电子学研究与进展 2006 3
330 以磁控溅射+自组装反应方式制备GaN薄膜 薛成山 稀有金属材料与工程 2006 3
331 应力条件下AlGaN／GaN HEMT电流崩塌效应研究 龙飞 半导体技术 2006 3
332 AlGaN/InGaN/GaN双异质结构中2DEG的数值模拟 刘芳 科学技术与工程 2006 23
333 AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟(英文) 薛丽君 半导体学报 2006 2
334 Al组分对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响(英文) 唐宁 半导体学报 2006 2
335 Ga_2O_3氮化法合成GaN薄膜的研究 殷立雄 陕西科技大学学报 2006 2
336 GaN HEMT外延材料欧姆接触的研究 刘岳巍 河北工业大学学报 2006 2
337 GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中的激子态 郑冬梅 淮北煤炭师范学院学报(自然科学版) 2006 2
338 GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究 王瑞敏 光散射学报 2006 2
339 GaN基紫光LED的可靠性研究 商树萍 材料研究学报 2006 2
340 NuAlGaN/GaN HEMT中慢瞬态的数值解释(英文) 张金风 半导体学报 2006 2
341 n-ZnO/p-GaN异质结构发光二极管的制备与特性(英文) 周昕 半导体学报 2006 2
342 Persistent Photoconductivity in n-type GaN 半导体光子学与技术(英文版) 2006 2
343 Raman Scattering and Photoluminescence in Ge-implanted GaN Films 半导体光子学与技术(英文版) 2006 2
344 Si衬底GaN基LED的结温特性 刘卫华 发光学报 2006 2
345 Si衬底GaN基材料及器件的研究 滕晓云 半导体技术 2006 2
346 Si衬底GaN基蓝光LED器件性能研究 刘卫华硕士 南昌大学 2006 2
347 从RHEED图像间距分析外延GaN基薄膜表面晶格演变 郎佳红 安徽冶金科技职业学院学报 2006 2
348 氮化工艺对GaN缓冲层生长的影响 孙万峰 半导体光电 2006 2
349 钝化处理对GaN基LED反向漏电流特性的改善 薛松 半导体光电 2006 2
350 高温氨化合成GaN微晶 刘亦安 微细加工技术 2006 2
351 内建电场对GaN/AlGaN单量子点发光性质的影响 危书义 液晶与显示 2006 2
352 退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响 罗浩俊 材料研究学报 2006 2
353 Fabrication and photoluminescence of GaN nanowires prepared by ammoniating Ga_2O_3/BN films on Si substrate 科学通报(英文版) 2006 14
354 氨化Si基Ga_2O_3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性 薛成山 科学通报 2006 13
355 GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究 隋妍萍博士 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 2006 12
356 GaN的刻蚀、P型欧姆接触以及LED的研究 刘北平硕士 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 2006 12
357 p型GaN/Al_(0·35)Ga_(0·65)N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究 游达 物理学报 2006 12
358 γ-LiAlO_2衬底上生长GaN的研究进展 黄涛华 激光与光电子学进展 2006 12
359 采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜 雷本亮 光电子.激光 2006 12
360 蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响 牛南辉 功能材料 2006 12
361 纳米多孔氮化镓制备及氮化镓干法刻蚀损伤回复研究 王笑龙硕士 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 2006 12
362 氢化物气相外延生长GaN材料及其物性分析 雷本亮博士 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 2006 12
363 上海技术物理所成功研发氮化镓紫外探测器 机械工程师 2006 12
364 生产型GaN MOCVD(6片机)设备中的压力控制技术 何华云 电子工业专用设备 2006 12
365 用于GaN材料制备的MOCVD系统反应室模拟 许红祥硕士 西安电子科技大学 2006 12
366 AlGaN/GaN HEMT电流崩塌机理研究 靳翀硕士 电子科技大学 2006 11
367 AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究 王冲 物理学报 2006 11
368 AlGaN/GaN异质结构材料与器件研究 张敏硕士 山东大学 2006 11
369 GaN HEMT电流崩塌效应机理与实验研究 龙飞硕士 电子科技大学 2006 11
370 GaN基HEMT器件的表面陷阱充电效应研究 罗谦 半导体技术 2006 11
371 GaN基MSM结构紫外探测器研究 周飞跃硕士 电子科技大学 2006 11
372 N、O、Ga、Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究 张小东 核技术 2006 11
373 Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构 李翠云 半导体学报 2006 11
374 背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能 陈亮 激光与红外 2006 11
375 氮化镓材料研究热点分析及启示 赵亚娟 新材料产业 2006 11
376 氮化镓基薄膜材料的测试和评价 许金通 激光与红外 2006 11
377 电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构的极性 戴涛 物理学报 2006 11
378 东太平洋沉积物中自然GaN晶体的首次报道 陈晶 科学通报 2006 11
379 高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制 罗卫军 半导体学报 2006 11
380 两种结构GaN基太阳盲紫外探测器 李雪 激光与红外 2006 11
381 生产型GaN MOCVD设备控制系统软件设计 胡晓宇 电子工业专用设备 2006 11
382 一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型 刘丹 半导体学报 2006 11
383 AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触 杨燕 半导体学报 2006 10
384 GaN HFET的沟道夹断特性和强电场下的电流崩塌 薛舫时 微纳电子技术 2006 10
385 GaN和ZnO半导体化合物的合成与表征 翟雷应硕士 太原理工大学 2006 10
386 p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器 游达 半导体学报 2006 10
387 北大成功研制出氮化镓基激光二极管 光机电信息 2006 10
388 离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究 张小东 物理学报 2006 10
389 微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展 马香柏 电子科技 2006 10
390 纤锌矿准一维GaN/Al_xGa_(1 -x)N量子阱线中的极化准受限光学声子模(英文) 张立 半导体学报 2006 10
391 2004年Hgans AB公司的营业额较上年大幅增长 孙世杰 粉末冶金工业 2006 1
392 AlGaN/GaN HEMT高温特性的研究进展 朱修殿 半导体技术 2006 1
393 AlGaN/GaN HEMT功率放大器设计 林锡贵 半导体技术 2006 1
394 GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质的结合能 郑冬梅 贵州师范大学学报(自然科学版) 2006 1
395 GaN薄膜制备及脉冲激光沉积法的研究进展 童杏林 激光杂志 2006 1
396 GaN基二维八重准晶光子晶体制备与应用 张振生 北京大学学报(自然科学版) 2006 1
397 GaN基紫光LED的高反射率p型欧姆接触 张敬东 发光学报 2006 1
398 Si衬底GaN基LED理想因子的研究 刘卫华 功能材料与器件学报 2006 1
399 Synthesis of GaN films on porous silicon substrates 稀有金属(英文版) 2006 1
400 TDI公司的GaN外延片生产取得突破 陈裕权 半导体信息 2006 1
401 高反射率p-GaN欧姆接触电极 康香宁 发光学报 2006 1
402 缓冲层温度对Si(11上GaN表面形貌影响 朱军山 液晶与显示 2006 1
403 金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究 赵丽伟 液晶与显示 2006 1
404 抛物线型衬底InGaN/GaN发光二极管的模拟研究 夏长生 半导体学报 2006 1
405 应变GaN量子点中激子态的研究(英文) 戴宪起 功能材料 2006 1
406 新一代半导体材料 新贵GAN 冯玉春 深圳特区科技 2005 Z4
407 氮化镓——未来世界的宠儿 郑宇 第二课堂(初中) 2005 Z2
408 C波段0.75mmAlGaN/GaN功率器件 陈晓娟 半导体学报 2005 9
409 GaN晶体中堆垛层错的高分辨电子显微像研究 万威 物理学报 2005 9
410 MOCVD外延Al_2O_3基AlGaN/GaN超晶格的结构和光学特性 李美成 稀有金属材料与工程 2005 9
411 RF磁控溅射和氨化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒 胡丽君 微纳电子技术 2005 9
412 Si基ZnO缓冲层溅射Ga_2O_3氨化反应生长GaN薄膜 王书运 理化检验.物理分册 2005 9
413 ZnO薄膜的制备及氨化Ga_2O_3/ZnO薄膜合成一维GaN纳米结构的研究 高海永硕士 山东师范大学 2005 9
414 硅基SiC中间层辅助法合成GaN薄膜和纳米线的研究 董志华硕士 山东师范大学 2005 9
415 基于有限元分析法的激光剥离技术中GaN材料瞬态温度场研究 王婷 中国激光 2005 9
416 金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅰ) 王涛 物理 2005 9
417 跨导为325mS/mm的AlGaN/GaNHFET器件 张志国 半导体学报 2005 9
418 粒状氮化镓微晶的合成及其结构性能的研究 肖洪地 稀有金属材料与工程 2005 9
419 生长氮化镓薄膜的智能高精度温度控制器的研究 贺艳秋硕士 电子科技大学 2005 9
420 在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥 刘仕锋 物理学报 2005 9
421 AlGaN基PIN光电探测器的模型与模拟 张春福 半导体学报 2005 8
422 GaN基RCE紫外探测器 何政 红外 2005 8
423 GaN基短波光电器件的研究进展 刘亦安 微纳电子技术 2005 8
424 GaN基量子阱激光器交叉饱和特性的计算与分析 韩乐 华南理工大学学报(自然科学版) 2005 8
425 n-GaN表面Ti/Al/Ti/Au电极的电学特性 王光峰 半导体技术 2005 8
426 Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系 朱军山 半导体学报 2005 8
427 大功率蓝紫色GaN基半导体激光器的现状 王玉英 光机电信息 2005 8
428 低覆盖度的Au/GaN(0001)界面的同步辐射研究 邹崇文 物理学报 2005 8
429 高In组分In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究 邵嘉平 物理学报 2005 8
430 界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响 张春福 物理学报 2005 8
431 纤锌矿相GaN材料空穴输运特性的全带多粒子Monte Carlo模拟研究 王志宇硕士 河北大学 2005 8
432 用HVPE方法同质外延生长GaN 黄飞硕士 吉林大学；黄飞 2005 8
433 GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应 张志国 半导体技术 2005 7
434 高温高压下ZnO和GaN材料热力学特性的分子动力学研究 孙小伟硕士 西北师范大学 2005 7
435 扩镓Si基GaN微米带的制备和特性(英文) 薛成山 稀有金属材料与工程 2005 7
436 AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性 周劲 红外 2005 6
437 GaN p-i-n紫外探测器的研制 陈江峰 半导体光电 2005 6
438 GaN材料湿法刻蚀的研究与进展 黄生荣 微纳电子技术 2005 6
439 GaN基异质结构效应晶体管功率器件 张志国 物理 2005 6
440 Growth and characterization of 0.8-μm gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates Science in China,Ser.F 2005 6
441 MOCVD侧向外延GaN的结构特性 方慧智 发光学报 2005 6
442 Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触 冯玉春 发光学报 2005 6
443 RF-MBE生长的高Al势垒层AlGaN/GaN HEMT结构(英文) 王晓亮 半导体学报 2005 6
444 S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究 赵丽伟 人工晶体学报 2005 6
445 Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究 朱军山 人工晶体学报 2005 6
446 常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al_2O_3薄膜及其性能 戴江南 发光学报 2005 6
447 激光处理GaN薄膜的研究 陶华锋 激光技术 2005 6
448 氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理 胡成余 半导体学报 2005 6
449 一种采用GaN紫外探测器的便携式紫外辐射计 林少鹏 光学仪器 2005 6
450 用于GaN生长的生产型MOCVD设备控制系统设计 宋玲 电子工业专用设备 2005 6
451 GaN n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型 邹晓 微电子学 2005 5
452 GaN_xAs_(1-x)(x<0.01)中合金态的光学特性 罗向东 物理学报 2005 5
453 GaN薄膜发光特性的研究 李静 微纳电子技术 2005 5
454 GaN外延膜的红外椭偏光谱研究 王静 红外与激光工程 2005 5
455 p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量 薛松 半导体学报 2005 5
456 Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象 姚炜 物理学报 2005 5
457 Si基氨化ZnO/Ga_2O_3薄膜制备GaN纳米线 高海永 半导体学报 2005 5
458 氨化硅基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜性质研究 魏芹芹 稀有金属材料与工程 2005 5
459 氮化镓基材料的合成研究进展 彭必先 中国科学院研究生院学报 2005 5
460 高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展 刘坚斌 量子电子学报 2005 5
461 硅衬底GaN基LED的研究进展 莫春兰 液晶与显示 2005 5
462 过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响 冯玉春 人工晶体学报 2005 5
463 缓冲层用于改善硅基氮化镓外延薄膜质量 雷勇 光电子技术与信息 2005 5
464 基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT 陈晓娟 半导体学报 2005 5
465 激光剥离技术中GaN材料温度场的研究 王婷 激光杂志 2005 5
466 立方相β-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究 方鲲 物理学报 2005 5
467 脉冲激光沉积GaN薄膜 吕珂 江西师范大学学报(自然科学版) 2005 5
468 脉冲条件下GaN HEMT电流崩塌效应研究 龙飞 微电子学 2005 5
469 配合物热分解制备氮化镓纳米线及其生长机理研究 展杰 功能材料 2005 5
470 色散对GaN和ZnO的XRD摇摆曲线的影响 王立 半导体学报 2005 5
471 用Cr/Au/Ni/Au制备n-GaN欧姆接触 谢雪松 北京工业大学学报 2005 5
472 Al含量对GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中激子态的影响 戴宪起 半导体学报 2005 4
473 GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢杂质位置对激子态的影响 戴宪起 河南师范大学学报(自然科学版) 2005 4
474 GaN/AlN量子阱中的准受限声子 危书义 液晶与显示 2005 4
475 GaN:Si薄膜的结构和应力特性研究 冯倩 固体电子学研究与进展 2005 4
476 GaN非线性光学效应研究进展 陈平 物理学进展 2005 4
477 GaN和p型GaN薄膜中声子模和缺陷模的变温喇曼散射(英文) 王瑞敏 半导体学报 2005 4
478 GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究 申屠伟进 光电子.激光 2005 4
479 GaN基金属—铁电体—半导体场效应晶体管关键技术研究 黄大鹏硕士 西安电子科技大学 2005 4
480 GaN生长速率的研究 金瑞琴 半导体学报 2005 4
481 Growth Front Evolution of GaN Thin Films on Sapphire Substrate During HVPE Semiconductor Photonics and Technology 2005 4
482 In_xGa_(1-x)N/GaN应变量子点中激子的结合能 郑冬梅 淮北煤炭师范学院学报(自然科学版) 2005 4
483 MOCVD生长GaN材料的模拟 郭文平 半导体学报 2005 4
484 n-ZnO/p-GaN异质结界面工程 曾兆权 电子显微学报 2005 4
485 Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长 胡加辉 发光学报 2005 4
486 掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光 宋淑芳 发光学报 2005 4
487 大功率AlGaN/GaN HEMT关键制作工艺的研究 唐广硕士 清华大学;唐广 2005 4
488 低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象(英文) 沈晓明 半导体学报 2005 4
489 类氢杂质对In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响 郑冬梅 三明学院学报 2005 4
490 纳米晶粒团聚GaN纳米线A_1(LO)Raman峰的非对称展宽 陈伊鸣 化学物理学报 2005 4
491 生长模式控制对MOCVD生长GaN性能的影响 李述体 华南师范大学学报(自然科学版) 2005 4
492 纤锌矿型GaN电子迁移率的计算 杨燕 西安电子科技大学学报 2005 4
493 昭和电工新建氮化镓蓝光芯片生产线 松崎 稀土信息 2005 4
494 Ga_(1-x)Al_xN/GaN量子点红外吸收谱 蔡琳 北京交通大学学报 2005 3
495 GaN/C_(60)多层膜结构及光学特性的理论分析 韩培德 材料热处理学报 2005 3
496 GaN基激光器光增益和内部光损耗的测量 金春来 激光技术 2005 3
497 GaN系半导体材料生长的MOCVD控制系统设计与实现 赵恒 陕西理工学院学报(自然科学版) 2005 3
498 In_xGa_(1-x)N/GaN量子阱在时间分辨简并四波混频中的量子拍特性 李琪 武汉大学学报(理学版) 2005 3
499 MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究 冉军学 半导体学报 2005 3
500 Monte Carlo模拟纤锌矿GaN材料中粒子最终态的确定 郭宝增 固体电子学研究与进展 2005 3
501 n-GaN肖特基紫外光探测器的电子辐照效应 刘畅硕士 四川大学 2005 3
502 p型GaN的掺杂研究 金瑞琴 半导体学报 2005 3
503 TiAl_3和Ti/TiAl_3非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现 明帆 发光学报 2005 3
504 不同条件对扩镓硅基GaN晶体膜质量影响的XRD分析 王书运 分析科学学报 2005 3
505 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaNMOS-HFET器件 陈晓娟 电子器件 2005 3
506 合成GaN粗晶体棒的研究 董志华 微纳电子技术 2005 3
507 缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 吴洁君 人工晶体学报 2005 3
508 基于AlGaN/GaNHEMT的功率放大器的研究进展 王冲 微电子学 2005 3
509 蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HEMT自热效应研究 杨燕 固体电子学研究与进展 2005 3
510 耦合GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中的激子特性 危书义 液晶与显示 2005 3
511 AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析 王冲 西安电子科技大学学报 2005 2
512 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型 杨燕 电子学报 2005 2
513 AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究 祃龙 固体电子学研究与进展 2005 2
514 AlN /GaN分布布拉格反射器反射率的研究 洪灵愿 集美大学学报(自然科学版) 2005 2
515 GaN基材料的特性及应用 郑冬梅 三明学院学报 2005 2
516 GaN基蓝紫光激光器的材料生长和器件研制(英文) 杨辉 半导体学报 2005 2
517 GaN基紫外光探测器的研究进展 刘云燕 半导体技术 2005 2
518 GaN外延材料中持续光电导的光淬灭 李娜 半导体学报 2005 2
519 MOCVD生长的GaN和GaN∶Mg薄膜的拉曼散射 王瑞敏 发光学报 2005 2
520 n-GaN肖特基势垒光敏器件的电子辐照效应 刘畅 光散射学报 2005 2
521 Preparation and characterization of GaN films grown on Ga-diffused Si (111) substrates Rare Metals 2005 2
522 Synthesis of GaN nanorods on Si substrates with assistance of the vola-tilization of ZnO middle layers Rare Metals 2005 2
523 氨化Si基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜 魏芹芹 稀有金属材料与工程 2005 2
524 剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用 叶嗣荣 半导体光电 2005 2
525 不同厚度未掺杂GaN薄膜的特性分析 周小伟 电子器件 2005 2
526 双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究 朱军山 稀有金属 2005 2
527 关于GaN晶体生长助熔剂的研究 李杰 中国科技信息 2005 16
528 AlN阻挡层对AlGaN/GaN HEMT器件的影响 张进城 半导体学报 2005 12
529 高温高压下闪锌矿相GaN结构和热力学特性的分子动力学研究 孙小伟 物理学报 2005 12
530 用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析 孟焘 稀有金属材料与工程 2005 12
531 在复合衬底γ-Al_2O_3/Si(001)上生长GaN 刘喆 半导体学报 2005 12
532 支撑技术AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究 王勇 半导体技术 2005 12
533 AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究 张浩 微电子学与计算机 2005 11
534 AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长 李亮 激光与红外 2005 11
535 AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的设计与表征 姬小利 激光与红外 2005 11
536 f_(max)为100GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(英文) 李献杰 半导体学报 2005 11
537 GaN HFET沟道热电子隧穿电流崩塌模型 薛舫时 半导体学报 2005 11
538 GaN LED量子阱光发射模型 邹晓 华中科技大学学报(自然科学版) 2005 11
539 MOCVD生长GaN薄膜的实时干涉曲线分析 李翠云 武汉理工大学学报 2005 11
540 P型氮化镓表面的X射线光电子能谱研究 许金通 激光与红外 2005 11
541 sol-gel法制备GaN纳米棒的研究 吴玉新 电子元件与材料 2005 11
542 低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究 徐耿钊 物理学报 2005 11
543 使用SiN_x原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究 秦琦 物理学报 2005 11
544 拥有高辉度蓝光组件的新型氮化镓结晶薄膜问世 新材料产业 2005 11
545 (GaN)_n/(AlN)_n应变层超晶格的电子结构 王新华 半导体学报 2005 10
546 GaN异质结的二维表面态 薛舫时 半导体学报 2005 10
547 Mn~+离子注入GaN薄膜的磁性研究 石瑛 功能材料 2005 10
548 氮化镓外延膜红外椭圆偏振光谱的研究 王静硕士 山东大学 2005 10
549 氮化镓肖特基结紫外探测器的异常特性测量 刘宗顺 高技术通讯 2005 10
550 金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ) 王涛 物理 2005 10
551 输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件(英文) 王晓亮 半导体学报 2005 10
552 AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展 王翠梅 固体电子学研究与进展 2005 1
553 Effect of Substrate Nitridation on Properties of Thick GaN Film Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy Semiconductor Photonics and Technology 2005 1
554 Effects of AlN Layer and Impurities on Optical Properties of GaN O. Zsebk Chemical Research in Chinese Universities 2005 1
555 Fabrication of GaN films through reactive reconstruction of magnetron sputtered ZnO/Ga_2O_3 高海永 Journal of Central South University of Technology 2005 1
556 GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化 杨瑞芳 内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版) 2005 1
557 GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化及其压力效应 吴晓薇 量子电子学报 2005 1
558 GaN(100)表面结构的第一性原理计算 李拥华 物理学报 2005 1
559 InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱 吕国伟 光谱学与光谱分析 2005 1
560 InGaN/GaN量子阱结构的应变状态与微结构、物理性能关系的研究 李超荣 电子显微学报 2005 1
561 n-GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照效应 刘畅 半导体光电 2005 1
562 ZnO/Ga_2O_3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响(英文) 庄惠照 稀有金属材料与工程 2005 1
563 氨化硅基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜的发光特性研究 魏芹芹 稀有金属材料与工程 2005 1
564 侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文) 杨志坚 发光学报 2005 1
565 低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响 亢勇 红外与激光工程 2005 1
566 高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制 邵刚 半导体学报 2005 1
567 硅衬底GaN基LED研究进展 洪炜 材料导报 2005 1
568 InN和GaN系衬底材料的研究和发展 徐军 中国有色金属学报 2004 S1
569 氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术 罗毅 中国有色金属学报 2004 S1
570 GaN HFET研究的最新进展 薛舫时 微纳电子技术 2004 9
571 GaN薄膜生长实时监控系统的实现 曲钢 半导体技术 2004 9
572 GaN的高温高压合成研究 谢燕武硕士 吉林大学;谢燕武 2004 9
573 GaN基稀磁半导体的离子注入研究动态 林玲 材料导报 2004 9
574 采用ECR-PEMOCVD方法进行立方和六方GaN单晶薄膜生长的准热力学模型和相图(英文) 王三胜 半导体学报 2004 9
575 竹叶状GaN纳米带的制备 高海永 电子元件与材料 2004 9
576 A DFT Study for NH_3 Adsorption on the GaN (0001) Surface 结构化学 2004 8
577 GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究 罗毅 物理学报 2004 8
578 GaN基蓝光激光器光场特性模拟 叶晓军 半导体学报 2004 8
579 In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响 张纪才 物理学报 2004 8
580 MOCVD生长GaN材料p型掺杂最新进展 赵浙 材料导报 2004 8
581 p型GaN欧姆接触的研究进展 潘群峰 半导体技术 2004 8
582 高温氨化Ga_2O_3形成GaN粉末 孙振翠 稀有金属材料与工程 2004 8
583 AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性 张小玲 微电子学与计算机 2004 7
584 AlGaN/GaN异质结构中极化与势垒层掺杂对二维电子气的影响 孔月婵 物理学报 2004 7
585 AlGaN/GaN异质结极化行为与二维电子气 薛丽君 半导体技术 2004 7
586 ECR等离子体参数空间分布特性研究及制备GaN薄膜中的应用 符斯列硕士 华南师范大学 2004 7
587 GaN ECR-PEMOCVD生长表面RHEED图像研究 郎佳红硕士 大连理工大学 2004 7
588 GaN（0001）表面吸附小分子的密度泛函研究 吕乃霞硕士 福州大学 2004 7
589 GaN/Al_2O_3（0001）大晶格失配异质结构的PAMOCVD外延生长 曲钢硕士 大连理工大学 2004 7
590 RHEED原位监测的PEMOCVD方法及GaN基薄膜低温生长 秦福文博士 大连理工大学 2004 7
591 激光剥离GaN/Al_2O_3材料温度分布的解析分析 黄生荣 光电子.激光 2004 7
592 蓝宝石衬底与GaN外延层中缺陷与杂质的研究 吕海涛硕士 河北工业大学 2004 7
593 AlGaN/GaN异质结构的X射线衍射研究 谭伟石 核技术 2004 6
594 Effects of Ga-flux on Optical Properties and Morphology of GaN Grown via Molecular Beam Epitaxy Zsebk O. Chemical Research in Chinese Universities 2004 6
595 GaN基肖特基结构紫外探测器 王俊 半导体学报 2004 6
596 GaN基紫外光探测器研究进展 徐立国 半导体光电 2004 6
597 GaN紫外探测器的Ti/Al接触的电学特性 李雪 红外与激光工程 2004 6
598 HVPE外延GaN膜中黄带的光致发光激发谱研究 卢佃清 物理实验 2004 6
599 Simulation of polarization effects in AlGaN/GaN heterojunction Science in China,Ser.G 2004 6
600 Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长 王军喜 半导体学报 2004 6
601 氨化合成一维GaN纳米线 王显明 稀有金属材料与工程 2004 6
602 氮化Si基ZnO/Ga_2O_3制备GaN薄膜 高海永 微纳电子技术 2004 6
603 空气和氧气气氛下p-GaN/Ni/Au合金性质 杨华 发光学报 2004 6
604 扩镓Si基溅射Ga_2O_3氮化反应生长GaN薄膜 王书运 分析测试学报 2004 6
605 立式高真空MOCVD装置及GaN外延生长与器件制备 朱丽萍 真空科学与技术 2004 6
606 AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计(英文) 陆敏 半导体学报 2004 5
607 GaN(110)表面原子及电子结构的第一性原理研究 李拥华 中国科学技术大学学报 2004 5
608 GaN薄膜的研究进展 马洪磊 功能材料 2004 5
609 GaN基量子阱的激子跃迁和光学性质 熊飞 物理实验 2004 5
610 GaN基紫外探测器 李雪 红外 2004 5
611 GaN外延片中载流子浓度的纵向分布 方文卿 发光学报 2004 5
612 Mn~+注入p型GaN薄膜的结构和磁学特性 石瑛 武汉大学学报(理学版) 2004 5
613 多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响 陆敏 半导体学报 2004 5
614 多孔GaN纳米晶须的气固机制合成及光致发光性质 周少敏 零陵学院学报 2004 5
615 AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟 李娜 中国科学G辑 2004 4
616 GaN表面极性的光电子衍射研究 徐彭寿 物理学报 2004 4
617 GaN基可见盲紫外探测器及其研究进展 苏现军 量子电子学报 2004 4
618 GaN蓝光发光二极管的负电容现象研究 曾志斌 光电子.激光 2004 4
619 GaN欧姆接触与MSM结构紫外探测器研究 刘磊硕士 浙江大学 2004 4
620 GaN缺陷晶体高分辨电子显微像的解卷处理 万威 电子显微学报 2004 4
621 GaN折射率的椭圆偏振光谱研究 连传昕 红外与毫米波学报 2004 4
622 In_xGa_(1-x)N/GaN量子点中的激子态 危书义 河南师范大学学报(自然科学版) 2004 4
623 InGaN/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响 李超荣 电子显微学报 2004 4
624 Optical Properties of Silicon-doped InGaN and GaN Layers Semiconductor Photonics and Technology 2004 4
625 Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长 张宝顺 半导体学报 2004 4
626 ZnO/GaN/Al_2O_3的X射线双晶衍射研究 戴江南 功能材料与器件学报 2004 4
627 采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件 肖冬萍 半导体学报 2004 4
628 掺硅InGaN和掺硅GaN的光学性质的研究 康凌 液晶与显示 2004 4
629 腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性 陆敏 半导体学报 2004 4
630 基于透射谱的GaN薄膜厚度测量 张进城 物理学报 2004 4
631 研究性实验:GaN光学特性研究 王艳辉 物理与工程 2004 4
632 Al_xGa_(1-x)N/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性 郑泽伟 稀有金属 2004 3
633 Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应 唐宁 稀有金属 2004 3
634 AlGaN/GaN共栅共源HEMTs器件 邵刚 电子器件 2004 3
635 Au/Ni/Al/Ti/Al_xGa_(1-x)N/GaN和Au/Pt/Al/Ti/Al_xGa_(1-x)N/GaN欧姆接触研究 周慧梅 稀有金属 2004 3
636 Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N的非选择性刻蚀 韩彦军 中国科学E辑 2004 3
637 Effect of Growth Time on Properties of GaN Micro-grains Grown by Hot-wall CVD Method Semiconductor Photonics and Technology 2004 3
638 GaN基微波半导体器件研究进展 杨燕 西安电子科技大学学报 2004 3
639 GaN纳米结构的制备 马洪磊 稀有金属 2004 3
640 GaN纳米线材料的特性和制备技术 谢自力 纳米技术与精密工程 2004 3
641 MOCVD生长GaN和GaN∶Mg薄膜的对比研究 冯倩 红外与毫米波学报 2004 3
642 表面处理对n-GaN上无合金化Ti/Al欧姆接触的作用 刘磊 真空科学与技术 2004 3
643 衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响 叶好华 稀有金属 2004 3
644 氮化镓小团簇结构的理论研究 宋斌 浙江大学学报(理学版) 2004 3
645 氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响 曹文田 功能材料与器件学报 2004 3
646 硅基镓浓度对GaN晶体膜质量的影响 孙振翠 微细加工技术 2004 3
647 基于GaN的太拉赫兹负微分电阻振荡器 吕京涛 稀有金属 2004 3
648 静压下GaN/AlN应变超晶格的晶格动力学研究 郭子政 内蒙古大学学报(自然科学版) 2004 3
649 蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制 邵刚 电子器件 2004 3
650 脉冲激光双光束沉积掺Mg的GaN薄膜的研究 童杏林 中国激光 2004 3
651 热壁化学汽相沉积Si基GaN奇异面 孙振翠 微纳电子技术 2004 3
652 上海技物所“GaN基外延薄膜材料功能特性研究与优化方案”获上海市产学研配套资金资助 技物 红外 2004 3
653 未掺杂GaN外延膜的结晶特性与蓝带发光关系的研究 李述体 量子电子学报 2004 3
654 Al_xGa_(1-x)N/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究 郑泽伟 物理学报 2004 2
655 MOCVD生长GaN的表面形貌及缺陷研究 李述体 华南师范大学学报(自然科学版) 2004 2
656 n-GaN上Ti/Al电极的表面处理与退火 刘磊 半导体光电 2004 2
657 Nonselective etching of GaN/AlGaN heterostructures by Cl_2/Ar/BCl_3 inuctively coupled plasmas Science in China,Ser.E 2004 2
658 RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文) 王晓亮 半导体学报 2004 2
659 SiC、GaN半导体纳米材料及阵列的合成、性能与机理研究 李镇江博士 西北工业大学 2004 2
660 SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究 冯倩 物理学报 2004 2
661 Si基ZnO/Ga_2O_3氨化反应制备GaN薄膜 庄惠照 微细加工技术 2004 2
662 Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的欧姆接触研究 陈志忠 高技术通讯 2004 2
663 跨导为220 mS/mm的AlGaN/GaNHEMT 张小玲 固体电子学研究与进展 2004 2
664 扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析 王书运 分析测试技术与仪器 2004 2
665 一维GaN纳米材料生长方法 李忠 电子元件与材料 2004 2
666 直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征 童杏林 半导体学报 2004 2
667 至2008年为止 GaN发光二极管市场年增长率将达195% 光盘技术 2004 2
668 4H-SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研制 郝跃 半导体学报 2004 12
669 GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真 刘奕 半导体学报 2004 12
670 GaN基光电子材料及器件的研究 牛萍娟 微纳电子技术 2004 12
671 非故意掺杂GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触研究 杜江锋 电子元件与材料 2004 12
672 基于反射谱的GaN薄膜厚度在线测量系统 张永刚 电子质量 2004 12
673 基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法 罗谦 半导体学报 2004 12
674 脊形结构GaN蓝光激光器的热模拟分析 叶晓军 半导体学报 2004 12
675 蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源微波HEMTs器件(英文) 邵刚 半导体学报 2004 12
676 GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响 邵嘉平 半导体学报 2004 11
677 Si(111)衬底上生长 GaN 晶环的研究(英文) 王显明 稀有金属材料与工程 2004 11
678 SiC和GaN电子材料和器件的几个科学问题 李效白 微纳电子技术 2004 11
679 对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究(英文) 陆敏 半导体学报 2004 11
680 固态照明光源的基石——氮化镓基白光发光二极管 张国义 物理 2004 11
681 快速热退火对Ti/Al-GaN接触的影响 李雪 半导体学报 2004 11
682 热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究 曹文田 稀有金属材料与工程 2004 11
683 AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性 祃龙 半导体学报 2004 10
684 MOCVD方法硅基GaN的生长及其p型掺杂研究 赵浙硕士 浙江大学 2004 10
685 MOCVD方法生长硅基GaN与Al_xGa_（1-x）N薄膜及其性能研究 倪贤锋硕士 浙江大学 2004 10
686 YBaCuO-X高温超导氧化物和GaN/AIN应变超晶格电子结构的研究 王新华硕士 湖南大学 2004 10
687 硅基磁控溅射Ga_2O_3/Al_2O_3膜氨化反应自组装法和热壁CVD法制备GaN薄膜的研究 魏芹芹硕士 山东师范大学 2004 10
688 硅基扩镓溅射Ga_2O_3反应自组装和热壁化学气相沉积制备GaN薄膜的研究 孙振翠硕士 山东师范大学 2004 10
689 基于蓝宝石衬底的高性能AlGaN/GaN二维电子气材料与HEMT器件 张进城 半导体学报 2004 10
690 用于GaN材料制备的HVPE外延系统反应室模拟 孟兆祥硕士 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 2004 10
691 AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制 焦刚 固体电子学研究与进展 2004 1
692 Dependence of third-order nonlinear susceptibility on strain induced piezoelectric field in In_xGa_(1-x)N/GaN quantum well 白瑶晨 Chinese Optics Letters 2004 1
693 ECR-PEMOCVD生长GaN RHEED图像研究 郎佳红 应用激光 2004 1
694 GaN_(1-x)P_x三元合金的光学与结构特性 陈敦军 光学学报 2004 1
695 GaN基外延膜的激光剥离和InGaNLD外延膜的解理 黎子兰 激光技术 2004 1
696 非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT 陈堂胜 半导体学报 2004 1
697 非极性SiC/GaN界面结构特性 戴宪起 河南师范大学学报(自然科学版) 2004 1
698 缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 陈俊 中国科学E辑 2004 1
699 向商用市场阔步迈进的GaN紫色和蓝色激光二极管器件 孙志君 今日电子 2004 1
700 氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响 秦志新 液晶与显示 2004 1
701 应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究 徐波 物理学报 2004 1
702 用MOCVD方法制备的GaN_(1-x)P_x三元合金的喇曼与红外光谱 张开骁 半导体学报 2004 1
703 Enhanced Defect Accumulation and Erosion in GaN Bombarded with Low-energy Highly Charged Heavy Ions IMP & HIRFL Annual Report 2004 00
704 Low-Frequency Noise Properties of GaN Schottky Barriers Deposited on Intermediate Temperature Buffer Layers B. H. Leung 光学学报 2003 S1
705 The Characteristic of Threading Dislocation in Different Structures GaN Films Grown by MOCVD 光学学报 2003 S1
706 AlGaN/GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响 范隆 半导体学报 2003 9
707 超高能效 袖珍CD 人造阳光——“三头六臂”氮化镓 临工 中国高校科技与产业化 2003 9
708 高跨导AlGaN/GaN HEMT器件(英文) 肖冬萍 半导体学报 2003 9
709 AlGaN/GaN HEMT器件的研制 张小玲 半导体学报 2003 8
710 SiC/AlN上外延GaN薄膜的黄带发光与晶体缺陷的关系 范隆 光子学报 2003 8
711 调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中Al_xGa_(1-x)N势垒层表面态及其他局域态性质研究 刘杰 半导体学报 2003 8
712 两步生长模式合成一维GaN纳米结构和GaN晶体膜的研究 杨利硕士 山东师范大学 2003 8
713 用二维全带组合Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN静电感应晶体管(SIT)特性 郭宝增 电子学报 2003 8
714 Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响 孔月婵 物理学报 2003 7
715 GaN_(1-x)P_x薄膜的结构特性研究 陈敦军 物理学报 2003 7
716 Effects of Mg Doping on Photoconductivity of GaN Films Journal of Materials Science & Technology 2003 6
717 GaN-MOCVD设备产业化发展战略研究——Ⅲ族氮化物半导体的热点、难点、机遇和挑战 杨基南 新材料产业 2003 6
718 GaN材料键合技术研究进展 袁志军 半导体光电 2003 6
719 GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生长及其特性研究 赵智彪博士 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 2003 6
720 GaN基材料的欧姆接触及相关器件研究 邵庆辉硕士 浙江大学 2003 6
721 Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN 陈俊 Science in China,Ser.E 2003 6
722 RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 胡国新 半导体学报 2003 6
723 氨化反应自组装GaN纳米线 王显明 稀有金属 2003 6
724 标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究 郎佳红 红外技术 2003 6
725 发展氮化镓集成电路的考虑 袁明文 微纳电子技术 2003 6
726 发展氮化镓集成电路的考虑 袁明文 微纳电子技术 2003 6
727 硅基GaN欧姆接触及紫外探测器的研究 李嘉炜硕士 浙江大学 2003 6
728 深亚微米纤锌矿相AlGaN/GaN MODFET输出特性的微分负阻效应 郭宝增 中国科学E辑 2003 6
729 AlGaN/AlN/GaN大功率微波HEMT 一凡 微电子技术 2003 5
730 GaN基蓝光半导体激光器的发展 陈良惠 物理 2003 5
731 GaN异质外延初始生长条件的优化及其实时监控 周智猛硕士 大连理工大学 2003 5
732 高阻GaN基MSM结构紫外探测器的光电流特性 苑进社 半导体光电 2003 5
733 GaN基材料半导体激光器综述 郎佳红 激光技术 2003 4
734 GaN欧姆接触及器件的研究 徐进硕士 浙江大学 2003 4
735 MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 王晓亮 固体电子学研究与进展 2003 4
736 Si(111)衬底上生长GaN晶绳的研究 曹文田 功能材料与器件学报 2003 4
737 Si基GaN的微结构表征 江若琏 光散射学报 2003 4
738 氮化镓薄膜的研究进展 李忠 微细加工技术 2003 4
739 氮化镓薄膜研究进展 杨利 山东师范大学学报(自然科学版) 2003 4
740 合成鱼骨外形氮化镓纳米棒(英文) 杨利 半导体学报 2003 4
741 溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质 杨莺歌 半导体学报 2003 4
742 水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长 孟兆祥 功能材料与器件学报 2003 4
743 AlGaN/GaN中二维电子气研究新进展 张金凤 西安电子科技大学学报 2003 3
744 Differential negative resistance effect of output characteristics in deep sub-micrometer wurtzite AlGaN/GaN MODFETs 郭宝增 Science in China,Ser.F 2003 3
745 GaN薄膜拉曼散射光谱的研究 冯倩 光散射学报 2003 3
746 GaN材料及MSM结构紫外光电探测器的研究与制备 陈小红硕士 厦门大学 2003 3
747 GaN基半导体材料研究进展 郎佳红 激光与光电子学进展 2003 3
748 GaN基器件中的欧姆接触 邵庆辉 材料导报 2003 3
749 GaN纳米线的成核及生长机制研究 贾圣果 北京大学学报(自然科学版) 2003 3
750 Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为 张泽洪 半导体学报 2003 3
751 氮化镓发光二级管蓝光转换材料的合成和发光性质 姚光庆 物理化学学报 2003 3
752 高响应度GaN紫外探测器 沙金 半导体光电 2003 3
753 宽带GaN HEMT推挽微波功率放大器 一凡 微电子技术 2003 3
754 立方相GaN/β-SiC(100)(2×1)混合界面的电子结构 宋友林 郑州大学学报(理学版) 2003 3
755 两步镀膜Ti/Al/Ti/Au的n型GaN欧姆接触研究 管志斌 功能材料与器件学报 2003 3
756 纳米GaN固体的制备与表征 郑伟威 人工晶体学报 2003 3
757 热壁CVD法GaN微晶粒的制备 薛成山 科学技术与工程 2003 3
758 AlGaN/GaN基HEMT器件的研究进展(英文) 邵庆辉 微纳电子技术 2003 2
759 GaN的声表面波特性研究 严莉 发光学报 2003 2
760 GaN固体光源的进展 张万生 微纳电子技术 2003 2
761 GaN基材料的特性及光电器件应用 蒋荣华 世界有色金属 2003 2
762 GaN基发光二极管研究与进展 徐进 光电子技术 2003 2
763 GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量 冯淦 中国科学G辑 2003 2
764 NEC试制出GaN半导体功率晶体管 集成电路应用 2003 2
765 采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN 邵庆辉 真空科学与技术 2003 2
766 电沉积合成大规模的单晶形的GaN纳米棒及光学特性 周少敏 零陵学院学报 2003 2
767 非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT 陈堂胜 固体电子学研究与进展 2003 2
768 日立电线推出低缺陷密度蓝紫色激光器GaN底板 光盘技术 2003 2
769 GaN-MOCVD设备的发展现状及产业化思考 胡晓宇 新材料产业 2003 12
770 GaN薄膜的蓝光和红光发射机理研究 赖天树 光学学报 2003 12
771 Mn~+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性 李杰 半导体学报 2003 12
772 p型GaN材料的表面物理特性 薛松 半导体学报 2003 12
773 SiC衬底上异质外延GaN薄膜XPS谱和PL谱研究 冯倩 光子学报 2003 12
774 基于量子微扰的AlGaN/GaN异质结波函数半解析求解 李培咸 物理学报 2003 12
775 脉冲激光沉积GaN薄膜的结构和光学特性研究 童杏林 光子学报 2003 12
776 GaN基电子器件研究进展 陈权 世界产品与技术 2003 11
777 SiC衬底上异质外延GaN薄膜结构缺陷对黄光辐射的影响 冯倩 光子学报 2003 11
778 不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性(英文) 吴桐 半导体学报 2003 11
779 氮化镓材料中的位错对材料物理性能的影响 倪贤锋 材料导报 2003 11
780 氮化镓器件技术与应用展望 于凌宇 世界产品与技术 2003 11
781 额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响 修向前 半导体学报 2003 11
782 管式电炉合成氮化镓晶粒的研究 黄萍 微纳电子技术 2003 11
783 宽禁带半导体SiC和GaN峥嵘初显 李静 世界产品与技术 2003 11
784 GaN的宽带黄光发射研究 赖天树 物理学报 2003 10
785 掺铒GaN薄膜的背散射沟道分析和光致发光研究 宋淑芳 物理学报 2003 10
786 氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过鉴定 新材料产业 2003 10
787 六方相GaN的MOCVD外延生长 陈俊硕士 四川大学 2003 10
788 纤锌矿GaN低场电子迁移率解析模型 张进城 半导体学报 2003 10
789 Effects of Substrate Pretreatment Conditions on Quality of GaN Epilayer Semiconductor Photonics and Technology 2003 1
790 GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜 秦福文 半导体光电 2003 1
791 GaN基MSM结构紫外光探测器 王俊 中国科学G辑 2003 1
792 GaN基半导体太阳盲区紫外探测器研究进展 苑进社 半导体光电 2003 1
793 GaN基蓝色LED的研究进展 段猛 西安电子科技大学学报 2003 1
794 GaN基量子点结构的喇曼特征 顾海涛 光学与光电技术 2003 1
795 He~+、N~+注入GaN的背散射和电学特性研究 周生强 原子能科学技术 2003 1
796 MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED 李忠辉 发光学报 2003 1
797 Si基n型GaN的欧姆接触研究 李嘉炜 真空科学与技术 2003 1
798 氮化镓薄膜中LO声子-等离子体激元耦合模拉曼光谱研究 李志锋 红外与毫米波学报 2003 1
799 氮化镓基蓝、绿光LED中游工艺技术产业化研究 张书明 液晶与显示 2003 1
800 二次退火对Al/Ti/n-GaN/Si欧姆接触的影响 邵庆辉 微纳电子技术 2003 1
801 高亮度GaN基蓝色LED的研究进展 文尚胜 量子电子学报 2003 1
802 立方相GaN的持续光电导 张泽洪 半导体学报 2003 1
803 试制出GaN半导体功率晶体管 光盘技术 2003 1
804 一维GaN纳米线蓝色激光 李薇 人工晶体学报 2003 1
805 用MOCVD法在LiGaO_2(001)上生长GaN的研究 杨卫桥 无机材料学报 2003 1
806 在GaAs衬底表面生长GaN过程中的氮化新方法 刘国涛 半导体光电 2003 1
807 Defect Accumulation and Its Effect on Photoluminescence in GaN Bombarded with Low-energy Heavy Ions T.Shibayama IMP & HIRFL Annual Report 2003 00
808 GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现 孙元平 半导体学报 2002 9
809 自组装GaN/AlN量子点结构生长的初步研究 常久伟硕士 大连理工大学 2002 9
810 GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较 沈晓明 半导体学报 2002 8
811 GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制 冯淦 中国科学A辑 2002 8
812 适用于宽带应用的氮化镓晶体管 钟 世界电子元器件 2002 8
813 GaN/GaAs(001)外延薄膜的湿法腐蚀特性(英文) 沈晓明 半导体学报 2002 7
814 GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长 陈敦军 半导体学报 2002 7
815 掺碳氮化镓的光学性质 叶建东 半导体学报 2002 7
816 氮化镓基发光二极管产业化中的材料物理问题 周均铭 物理 2002 7
817 GaN场发射高分辨电子显微像的图像处理显示GaN中原子分辨率晶体缺陷的可能性 王怀斌 金属学报 2002 6
818 GaN衬底材料LiGaO_2晶体的温度梯度法生长及分析 杨卫桥 光学学报 2002 6
819 掺铒GaN薄膜光致发光的研究 宋淑芳 中国稀土学报 2002 6
820 (111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察 胡桂青 电子显微学报 2002 5
821 256×256 GaN紫外成像列阵 高国龙 红外 2002 5
822 94K低温下和室温下GaN基MSM紫外光探测器性能的比较(英文) 包春玉 发光学报 2002 5
823 GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术 孙元平 中国科学E辑 2002 5
824 Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响 张纪才 红外与毫米波学报 2002 5
825 低维GaN纳米材料的最新研究进展 李镇江 稀有金属材料与工程 2002 5
826 电子能量损失谱研究GaN的极性 孔翔 电子显微学报 2002 5
827 非掺杂GaN的黄光发射模型确定 赖天树 物理学报 2002 5
828 Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性 张锦文 半导体学报 2002 4
829 GaN从蓝宝石衬底上激光剥离技术的研究 徐剑 固体电子学研究与进展 2002 4
830 GaN基光发射二极管中深能级研究 毕朝霞 固体电子学研究与进展 2002 4
831 MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究 万凌云 发光学报 2002 4
832 NH_3分解率对GaN半导体MOVPE外延生长成分空间的影响 李长荣 稀有金属 2002 4
833 调制掺杂AlGaN/GaN异质结上的Pt肖特基接触 刘杰 固体电子学研究与进展 2002 4
834 额外HCl对HVPE生长GaN性质的影响 修向前 固体电子学研究与进展 2002 4
835 高温高压下氮化镓陶瓷体的制备 洪瑞金 高压物理学报 2002 4
836 高温高压下氮化镓陶瓷体的制备 洪瑞金 高压物理学报 2002 4
837 瑞典Hgans公司研制出粉末冶金用高速压制新技术 钟培全 稀有金属快报 2002 4
838 射频等离子体分子束外延GaN的极性研究 赵智彪 功能材料与器件学报 2002 4
839 退火对离子注入GaN产生的深能级的影响 许小亮 液晶与显示 2002 4
840 阳极氧化铝作缓冲层的Si基GaN生长 陈鹏 高技术通讯 2002 4
841 载气流量对HVPE外延生长GaN膜光学性质的影响 卢佃清 固体电子学研究与进展 2002 4
842 GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用 顾彪 高技术通讯 2002 3
843 GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算 沈耀文 物理学报 2002 3
844 Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究 汪峰 高技术通讯 2002 3
845 Surface decomposition and annealing behavior of GaN implanted with Eu Nuclear Science and Techniques 2002 3
846 Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 孙元平 Science in China,Ser.E 2002 3
847 氮化镓低维材料 陈小龙 人工晶体学报 2002 3
848 氮空位在纳米GaN颗粒和InGaN AlGaN双异质结中的聚集(英文) 张泽 电子显微学报 2002 3
849 高温超导及GaN衬底材料(La,Sr)(Al,Ta)O_3晶体的生长 陶德节 人工晶体学报 2002 3
850 基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关 范品忠 激光与光电子学进展 2002 3
851 离子注入GaN的拉曼散射研究 张纪才 物理学报 2002 3
852 立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性 沈晓明 广西大学学报(自然科学版) 2002 3
853 ECR-PEMOCVD法在GaAs(001)衬底上制备GaN量子点 王三胜 半导体光电 2002 2
854 GaN的极性特征、测量及应用 刘宝林 半导体光电 2002 2
855 氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算 赵智彪 固体电子学研究与进展 2002 2
856 氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光 谢世勇 半导体学报 2002 2
857 氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质 陈志忠 发光学报 2002 2
858 分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料 孙殿照 固体电子学研究与进展 2002 2
859 缓冲层对氮化镓二维生长的影响 赵智彪 功能材料与器件学报 2002 2
860 立方相GaN的高温MOCVD生长(英文) 付羿 半导体学报 2002 2
861 纳米氮化镓/碳化硅固溶晶薄膜电子微结构 张洪涛 压电与声光 2002 2
862 气流混合对生长GaN∶Si膜性能影响的研究 莫春兰 光学学报 2002 2
863 射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用 杨冰 真空科学与技术学报 2002 2
864 退火对大剂量Al离子注入GaN发光特性的影响 许小亮 液晶与显示 2002 2
865 用三带和全带模型蒙特卡罗方法模拟纤锌矿相GaN体材料输运特性结果的比较(英文) 郭宝增 半导体学报 2002 2
866 自组装InGaN/GaN量子点的研究进展 李嘉炜 半导体光电 2002 2
867 GaN/GaAlN宽量子阱的二类激子特征(英文) 郭子政 光电子.激光 2002 12
868 GaN在Si(001)上的ECR等离子体增强MOCVD直接生长研究(英文) 徐茵 半导体学报 2002 12
869 Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性 杨莺歌 中国科学A辑 2002 12
870 Crystallographic tilt in GaN lavers grown by epitaxial lateral overgrowth 冯淦 Science in China,Ser.A 2002 11
871 GaN(0001)表面的电子结构研究 谢长坤 物理学报 2002 11
872 GaN及其Ga空位的电子结构 何军 物理学报 2002 11
873 不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光 周晓滢 半导体学报 2002 11
874 用于探测微弱紫外光的高效率太阳能盲GaN光电阴极 高国龙 红外 2002 11
875 AlGaN/GaN界面特性研究进展 郝跃 微纳电子技术 2002 10
876 ECR-MOCVD方法GaN单晶薄膜生长热力学分析 王三胜 高技术通讯 2002 10
877 LP-MOCVD生长InGaN及InGaN/GaN量子阱的研究 刘宝林 光电子.激光 2002 10
878 ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长 毕朝霞 中国科学A辑 2002 10
879 调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变 谭伟石 核技术 2002 10
880 横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究 冯淦 核技术 2002 10
881 用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度 沈晓明 半导体学报 2002 10
882 用全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN和ZnO材料的电子输运特性 郭宝增 物理学报 2002 10
883 在量子阱中自组织量子点结构GaN/Al_xGa_(1-x)N的电子能谱 刘承师 半导体学报 2002 10
884 Al_2O_3衬底上低温生长GaN薄膜的一种新方法 窦宝锋 佳木斯大学学报(自然科学版) 2002 1
885 Characterization of GaN Buffer Layers and Its Epitaxial Layers Grown by MOCVD Semiconductor Photonics and Technology 2002 1
886 GaN材料的横向外延过生长(LEO)及其特性研究 魏茂林 功能材料与器件学报 2002 1
887 GaN大失配异质外延技术 张荣 铁道师院学报(自然科学版) 2002 1
888 GaN发光二极管型器件介绍之二 罗红 光源与照明 2002 1
889 GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用 王三胜 材料导报 2002 1
890 GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用 王三胜 电子器件 2002 1
891 GaN生长工艺流程实时监控系统 王三胜 微电子学与计算机 2002 1
892 GaN生长工艺流程实时监控系统 王三胜 半导体技术 2002 1
893 MOCVD Growth of Device-quality GaN on Sapphire Semiconductor Photonics and Technology 2002 1
894 n型GaN的蓝光发射研究 李欣 中山大学学报(自然科学版) 2002 1
895 Strain in GaN/Si<111> by RBS/Channeling Nuclear Science and Techniques 2002 1
896 氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究 周江峰 材料科学与工艺 2002 1
897 非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究 赖天树 中山大学学报(自然科学版) 2002 1
898 金属-铁电体-GaN结构研究 毕朝霞 半导体学报 2002 1
899 Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究(英文) 郑泽伟 发光学报 2001 S1
900 GaN基白光LED的研制与特性(英文) 唐英杰 发光学报 2001 S1
901 GaN基紫外探测器的研究与制备(英文) 杨辉 发光学报 2001 S1
902 MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析(英文) 苑进社 发光学报 2001 S1
903 Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文) 沈波 发光学报 2001 S1
904 X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜(英文) 周劲 发光学报 2001 S1
905 侧向外延生长GaN的结构特性(英文) 张荣 发光学报 2001 S1
906 氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究(英文) 韩培德 发光学报 2001 S1
907 电容-电压法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结压电极化效应(英文) 俞慧强 发光学报 2001 S1
908 三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文) 陈振 发光学报 2001 S1
909 一种改进的用于GaN的X射线动力学衍射理论模型(英文) 郭文平 发光学报 2001 S1
910 用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度(英文) 杨志坚 发光学报 2001 S1
911 用MOVPE方法外延生长Si掺杂的立方相GaN(英文) WU Jun 发光学报 2001 S1
912 用N_2-H_2等离子体氮化GaAs衬底对ECR-PEMOCVD生长立方GaN的影响(英文) 王三胜 发光学报 2001 S1
913 在6H-SiC衬底上用低压MOVPE法生长AlN和GaN的过程中用(AlN/GaN)多层缓冲层来控制残余应力(英文) Horie M 发光学报 2001 S1
914 在ELO-GaN衬底上生长的AlGaInN高功率激光器(英文) Ikeda M 发光学报 2001 S1
915 在GaN生长初期形貌发展的观察(英文) 袁海荣 发光学报 2001 S1
916 用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导 张德恒 物理学报 2001 9
917 用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中的极化电荷 周玉刚 物理学报 2001 9
918 ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长 毕朝霞 半导体学报 2001 8
919 在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异 韩培德 半导体学报 2001 8
920 在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异 韩培德 半导体学报 2001 8
921 AlGaN/GaN异质结二维电子气输运性质 姚微硕士 中国科学院上海冶金研究所 2001 7
922 半导体材料的华丽家族——氮化镓基材料简介 孙殿照 物理 2001 7
923 AlGaN/GaN二维电子气的特性研究 薛舫时 微纳电子技术 2001 6
924 GaN的低压MOCVD生长模型 杨红伟 微纳电子技术 2001 6
925 GaN基量子阱激光器极化相关增益饱和特性的理论计算 赵磊 半导体光电 2001 6
926 GaN生长工艺流程实时监控系统 王三胜 大连理工大学学报 2001 6
927 GaN系量子阱器件的研究进展 李嘉炜 微纳电子技术 2001 6
928 LASER LIFT-OFF OF GaN THIN FILMS FROM SAPPHIRE SUBSTRATES Acta Metallurgica Sinica(English Letters) 2001 6
929 MOCVD生长中利用Al双原子层控制和转变GaN的极性 刘宝林 半导体光电 2001 6
930 Surface roughness and high density of cubic twins and hexagonal inclusions in cubic GaN epilayers 渠波 Science in China,Ser.A 2001 6
931 氮化镓在光电子和微电子器件中的应用 袁明文 半导体技术 2001 6
932 化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响 江风益 半导体学报 2001 6
933 立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相 渠波 中国科学A辑 2001 6
934 利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN 刘宝林 半导体光电 2001 6
935 氮化镓基固态器件的研究进展 李效白 半导体技术 2001 5
936 光电子新葩──GaN发光材料与器件 林秀华 厦门科技 2001 5
937 应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN(英文) 龙涛 北京大学学报(自然科学版) 2001 5
938 用多功能光栅光谱仪测定GaN膜的光学参数 王艳辉 大学物理 2001 5
939 GaAs(111)衬底上生长的GaN的极性与生长方法和生长条件的关系 (英文) 发光学报 2001 4
940 GaN发光二极管型器件的介绍 罗红 光源与照明 2001 4
941 Morphological characterization of selectively overgrown GaN via lateral epitaxy 电子显微学报 2001 4
942 Multiplicity factor and diffraction geometry factor for single crystal X-ray diffraction analysis and measurement of phase content in cubic GaN/GaAs(001) epilayers 渠波 Science in China,Ser.A 2001 4
943 氨热条件下锂作矿化剂合成氮化镓纳米晶的研究 许燕萍 硅酸盐学报 2001 4
944 氮化镓纳米线的制备及表征 王超英 电子显微学报 2001 4
945 非掺杂n型氮化镓外延层的光致发光 彭长涛 半导体学报 2001 4
946 蓝宝石衬底上RF-MBE生长的GaN中的极性控制和螺旋位错的降低(英文) 发光学报 2001 4
947 位错对n型GaN光助电化学腐蚀的中止作用 陈克林 高技术通讯 2001 4
948 用MOVPE和RF-MBE方法极性控制生长GaN(英文) 发光学报 2001 4
949 Cree公司研制成第一个40W GaN MMIC放大器 一凡 微电子技术 2001 3
950 GaN基量子阱激子结合能和激子光跃迁强度 顾海涛 半导体光电 2001 3
951 InGaN/GaN量子阱动力学特征分析 刘志国 武汉大学学报(理学版) 2001 3
952 N型氮化镓的结构和光电导特性 艾子萍 岩矿测试 2001 3
953 N型氮化镓的结构和光电导特性 艾子萍 岩矿测试 2001 3
954 RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料 胡国新 材料科学与工艺 2001 3
955 氮化镓研制中的退火技术 张会肖 半导体情报 2001 3
956 发光二极管氮化镓的情况一览 光源与照明 2001 3
957 金属/n型半导体(Au/n-Ga N)肖特基势垒的研究(英文) 杨海 云南师范大学学报(自然科学版) 2001 3
958 立方GaAs(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜 孙一军 半导体学报 2001 3
959 立方相GaN/GaAs(001)外延层中六角相的分布特征 渠波 中国科学E辑 2001 3
960 气相反应法制备GaN纳米线 许涛 人工晶体学报 2001 3
961 GaN材料p型掺杂 谢世勇 固体电子学研究与进展 2001 2
962 GaN基HFET的新进展 俞慧强 固体电子学研究与进展 2001 2
963 GaN生长工艺得到改善 刘晓芸 半导体情报 2001 2
964 Mg掺杂对GaN薄膜紫外光电导的影响 刘云燕 山东大学学报(自然科学版) 2001 2
965 MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED 王晓晖 高技术通讯 2001 2
966 氮化镓纳米固体的合成及其激光拉曼光谱 许涛 人工晶体学报 2001 2
967 高浓度Mg掺杂GaN的电学和退火特性研究 童玉珍 半导体光电 2001 2
968 高质量氮化镓材料的光致发光研究 王军喜 应用光学 2001 2
969 横向过生长(LEO)外延GaN材料及其生长机理 魏茂林 功能材料与器件学报 2001 2
970 计入衍射几何因子和多重性因子的立方GaN相含量的测定 渠波 中国科学A辑 2001 2
971 利用高频Plasma CVD在蓝宝石衬底上生长立方GaN缓冲层及其光学性质 修向前 半导体学报 2001 2
972 Cluster model calculation of N near K-edge energy-loss fine structures in hexagonal GaN crystal 高尚鹏 Science in China,Ser.A 2001 12
973 氮化镓雪崩光电二极管实现紫外光子计数 高国龙 红外 2001 12
974 分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究 苑进社 物理学报 2001 12
975 RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 孙殿照 半导体学报 2001 11
976 氮化镓晶体融接成功 车会生 激光与光电子学进展 2001 11
977 横向外延GaN材料的MOCVD生长与特性研究 魏茂林硕士 中国科学院上海冶金研究所 2001 11
978 闪锌矿GaN(001)表面的电子结构 蔡端俊 半导体学报 2001 11
979 肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气 周玉刚 半导体学报 2001 11
980 ECR_PAMOCVD外延生长C_GaN过程中等离子体微参数对衬底预处理的影响 王富国硕士 大连理工大学 2001 10
981 GaN基发光材料 王立 化学教育 2001 10
982 硅基GaN薄膜材料及紫外探测器原型器件研究 张昊翔博士 浙江大学 2001 10
983 硅基GaN薄膜制备及紫外探测器的初步研究 王宇硕士 浙江大学 2001 10
984 基于GaN的紫外探测器线列 高国龙 红外 2001 10
985 控制技术在GaN薄膜生长过程中的应用 王知学硕士 大连理工大学 2001 10
986 团簇取样法计算六方晶系GaN晶体中NK-edge电子能量损失谱近阈精细结构 高尚鹏 中国科学A辑 2001 10
987 863项目“GaN基蓝光材料生长及LED器件研制”通过验收 彭学新 南昌大学学报(工科版) 2001 1
988 GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究 罗向东 红外与毫米波学报 2001 1
989 GaN直纳米线的光学性能 许燕萍 光散射学报 2001 1
990 GaN中的缺陷与杂质 许小亮 物理学进展 2001 1
991 GaN中一种新受主的发光性能研究 熊传兵 南昌大学学报(工科版) 2001 1
992 MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED 陆大成 液晶与显示 2001 1
993 Si基的RICBD法生长GaN薄膜 蔡先体 半导体光电 2001 1
994 宽禁带GaN基半导体激光器进展 章蓓 半导体光电 2001 1
995 蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究 张新夷 红外与毫米波学报 2001 1
996 使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究 莫春兰 发光学报 2001 1
997 小尺寸GaN探测器产生高增益 激光与光电子学进展 2001 1
998 GaN晶体的生长及其低维材料的制备 陈小龙 人工晶体学报 2000 S1
999 GaN纳米材料的光致蓝光发光与红色发光 人工晶体学报 2000 S1
1000 GaN纳米固体的氨热合成及其特性研究 许燕平 人工晶体学报 2000 S1
1001 GaN纳米线的制备 李建业 人工晶体学报 2000 S1
1002 氮化镓薄膜及其研究进展 曹传宝 材料研究学报 2000 S1
1003 利用波纹图样对GaN/α-Al_2O_3(0001)界面微结构研究 朱健民 人工晶体学报 2000 S1
1004 新型光电材料GaN的离子束辐照改性与结构分析 姚淑德 原子能科学技术 2000 S1
1005 用解理氮化镓制作蓝光激光二极管 激光与光电子学进展 2000 9
1006 GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究 李志锋 物理学报 2000 8
1007 P型GaN和AlGaN外延材料的制备 刘祥林 高技术通讯 2000 8
1008 GSMBE生长的高质量氮化镓材料 孙殿照 半导体学报 2000 7
1009 InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管 王晓晖 半导体学报 2000 7
1010 可观测紫外光的氮化镓摄像机 高国龙 红外 2000 7
1011 GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜 刘洪飞 物理学报 2000 6
1012 GaN薄膜的微区Raman散射光谱 童玉珍 半导体学报 2000 6
1013 方大集团同时在深圳、南昌启动GaN产业化项目 新材料产业 2000 6
1014 高迁移率AlGaN-GaN二维电子气 刘祥林 高技术通讯 2000 6
1015 GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱 姚冬敏 半导体学报 2000 5
1016 GaN-第三代半导体的曙光 张冀 新材料产业 2000 5
1017 碳在GaN中的形态 陈开茅 量子电子学报 2000 5
1018 住友生长出2英寸GaN衬底 付士萍 半导体情报 2000 5
1019 Au-GaN肖特基结的伏安特性 林兆军 半导体学报 2000 4
1020 GaN HEMT微波器件研究新进展 曾庆明 半导体情报 2000 4
1021 GaN发光二极管的负电容现象 沈君 发光学报 2000 4
1022 MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性 林秀华 发光学报 2000 4
1023 MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究 李述体 半导体学报 2000 4
1024 Si基GaN上的欧姆接触 赵作明 功能材料与器件学报 2000 4
1025 掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响 李述体 功能材料与器件学报 2000 4
1026 调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中二维电子气的光致发光(英文) 沈波 功能材料与器件学报 2000 4
1027 调制掺杂Al_xGa_(1-x)NGaN异质结磁输运研究(英文) 郑泽伟 功能材料与器件学报 2000 4
1028 硅基GaN外延晶体学位相关系和生长机理研究 叶志镇 功能材料与器件学报 2000 4
1029 聚焦离子束在外延生长氮化镓薄膜失配位错研究中的应用 王岩国 电子显微学报 2000 4
1030 氢化气相外延氮化镓生长中气氛的作用研究(英文) 顾书林 功能材料与器件学报 2000 4
1031 AlGaN/GaN HEMT器件研究 曾庆明 功能材料与器件学报 2000 3
1032 Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grownon Ga As by Molecular Beam Epitaxy 李联合 半导体学报 2000 3
1033 f_(max)为107GHz的AlGaN/GaN HFET 半导体技术 2000 3
1034 Fabrication of Enhancement Mode Ga N Metal- Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor 陈鹏 半导体学报 2000 3
1035 GaN的同质外延生长 李栓庆 半导体情报 2000 3
1036 GaN的同质外延生长 半导体技术 2000 3
1037 GaN基半导体激光器发展动态研究 李栓庆 半导体情报 2000 3
1038 GaN基宽带隙半导体光发射器件 何兴仁 世界产品与技术 2000 3
1039 GaN基宽带隙半导体光发射器件 何兴仁 世界电子元器件 2000 3
1040 衬底对GaN光电探测器件性能的影响 李栓庆 半导体情报 2000 3
1041 氮化镓基电子与光电子器件 李效白 功能材料与器件学报 2000 3
1042 光导型GaN/Si探测器的研制 江若琏 功能材料与器件学报 2000 3
1043 增强AlGaN/GaN超晶格中的Mg掺杂效率 李和委 半导体情报 2000 3
1044 住友电工开发出GaN单晶生长新工艺 任学民 半导体杂志 2000 3
1045 2006年GaN器件销售额达30亿美元 石松 微电子技术 2000 2
1046 GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究 姚冬敏 发光学报 2000 2
1047 GaN蓝光材料新型ZnO/Si外延衬底的溅射沉积 贺洪波 中国科学E辑 2000 2
1048 GaN蓝光-紫外光光电子材料与器件的研究现状 李秀清 半导体情报 2000 2
1049 GaN紫外光电导探测器的研究 刘云燕 半导体情报 2000 2
1050 GaN紫外光探测器 张德恒 物理 2000 2
1051 MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究 江风益 发光学报 2000 2
1052 氮化镓(GaNi)元件可替代继电元件 国际电力 2000 2
1053 美国劳伦斯柏克莱实验室国家电镜中心分辨了GaN中的Ga和N原子 电子显微学报 2000 2
1054 纤锌矿GaN和AIN声子态的面间力常数模型在六角GaN/AIN超晶格中的应用(英文) 王灵俊 复旦学报(自然科学版) 2000 2
1055 Si基GaN紫外光探测器 席冬娟 高技术通讯 2000 11
1056 掺铥氮化镓产生蓝光 激光与光电子学进展 2000 11
1057 GaN受激喇曼散射谱研究 胡国华 西安交通大学学报 2000 10
1058 Ga N,Al N和 BN(110 )表面反常弛豫的电子结构计算 贾瑜 郑州大学学报(自然科学版) 2000 1
1059 MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究 李述体 发光学报 2000 1
1060 MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究 辛勇 发光学报 2000 1
1061 Optical Characterization of GaN Grown by Plasma Source MBE Semiconductor Photonics and Technology 2000 1
1062 Sputtering of ZnO buffer layer on Si for GaN blue light emitting materials 贺洪波 Science in China,Ser.E 2000 1
1063 金属有机化合物气相外延生长GaN薄膜的电子微结构研究 程立森 物理 2000 1
1064 用金属有机化学汽相沉积法生长立方相氮化镓发光二极管 光机电信息 2000 1
1065 氮化镓缓冲层的物理性质 刘祥林 半导体学报 1999 8
1066 用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性 毛祥军 半导体学报 1999 8
1067 Annealing behavior of hexagonal phase content in cubic GaN thin films grown on GaAs (001) by MOCVD 孙小玲 Science in China,Ser.A 1999 7
1068 GaN外延层中的缺陷研究 康俊勇 物理学报 1999 7
1069 Si基GaN外延层光致发光光谱与二次离子质谱的研究 张昊翔 物理学报 1999 7
1070 掺硅氮化镓材料的MOVPE生长及其性质研究 刘祥林 半导体学报 1999 7
1071 氮化镓缓冲层生长过程分析 刘祥林 半导体学报 1999 7
1072 GaN蓝色激光二极管的研究进展 宋登元 激光杂志 1999 6
1073 Al_xGa_(1-x)N and GaN/Al_xGa_(1-x)N Quantum Wells Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy 半导体学报 1999 5
1074 GaN上的欧姆接触 施锦行 半导体情报 1999 5
1075 Investigation on quality of cubic GaN/GaAs (100) by double-crystal X-ray diffraction 徐大鹏 Science in China,Ser.A 1999 5
1076 MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究 孙小玲 中国科学A辑 1999 5
1077 N型GaN的持续光电导 汪连山 半导体学报 1999 5
1078 反应离化簇团束制备氮化镓薄膜 黄浩 武汉大学学报(自然科学版) 1999 5
1079 硅基GaN外延层的SIMS及XPS研究 张昊翔 真空科学与技术学报 1999 5
1080 A COMPREHENSIVE INVESTIGATION ON A PECULIAR DEFECT IN WURTZITE GaN FILM Acta Metallurgica Sinica(English Letters) 1999 4
1081 A Molecular Dynamics Study on the (1120) Domain Boundary Structures in Epitaxial Wurtzite GaN Journal of Materials Science & Technology 1999 4
1082 Gan-Chen模式在岩土工程中的应用研究 甘德福 上海地质 1999 4
1083 GaN半导体研究与进展 顾忠良 半导体情报 1999 4
1084 GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究 凌勇 半导体学报 1999 4
1085 氮化镓微波电子学的进展(续) 袁明文 半导体情报 1999 4
1086 固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质 陈开茅 半导体学报 1999 4
1087 在高ECR 等离子体密度下沉积高质量氮化镓薄膜(英文) 杜小龙 Journal of Beijing Institute of Technology 1999 4
1088 注碳GaN的拉曼散射谱研究 孙文红 光散射学报 1999 4
1089 AlGaN/GaN异质结2DEG载流子输运 姚微 功能材料与器件学报 1999 3
1090 GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究 孙小玲 半导体学报 1999 3
1091 RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究 李伟 功能材料与器件学报 1999 3
1092 氮化镓微波电子学的进展 袁明文 半导体情报 1999 3
1093 在ZnO/Al_2O_3衬底上生长高质量GaN单晶薄膜 毛祥军 高技术通讯 1999 3
1094 AFM Observation of GaN Grown on Different Substrates at Low Temperatures 曹传宝 Journal of Beijing Institute of Technology 1999 2
1095 GaN材料中离子注入的研究进展 罗海林 材料导报 1999 2
1096 GaN——第三代半导体的曙光 梁春广 半导体学报 1999 2
1097 Si基GaN外延生长 陈鹏 固体电子学研究与进展 1999 2
1098 电子回旋共振等离子体特性及其对生长氮化镓晶膜的影响 杜小龙 物理学报 1999 2
1099 分子束外延高Mg掺杂GaN的发光特性 宋航 发光学报 1999 2
1100 光加热金属有机物化学气相淀积生长氮化镓 周玉刚 半导体学报 1999 2
1101 硅基GaN薄膜的外延生长 张昊翔 半导体学报 1999 2
1102 硅基GaN外延层的光致发光谱 张昊翔 半导体光电 1999 2
1103 在ECR等离子体中GaN薄膜沉积的研究(英文) 陈广超 功能材料与器件学报 1999 2
1104 金属有机化学蒸汽淀积生长立方相GaN发光二极管 友清 激光与光电子学进展 1999 11
1105 Strain Analysis of Cubic AlGaN/GaNGrownon GaAs(100) Substrate by MOVPE 徐大鹏 半导体学报 1999 10
1106 快速退火Mg∶GaN的光致发光研究 毛祥军 半导体学报 1999 10
1107 用于制备GaN的硅基ZnO过渡层的高温热处理研究 李剑光 半导体学报 1999 10
1108 863计划项目“GaN-based蓝光LED的研制”通过验收 王江 高技术通讯 1999 1
1109 GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算 何国敏 半导体学报 1999 1
1110 GaN薄膜技术的几点突破 谢崇木 微细加工技术 1999 1
1111 GaN光学微盘的显微荧光图像探讨 王国忠 发光学报 1999 1
1112 GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响 康俊勇 发光学报 1999 1
1113 RIE技术制备p-n结型GaN蓝光LEDs 章其麟 发光学报 1999 1
1114 α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究 陈志忠 半导体学报 1999 1
1115 分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析 韩培德 半导体学报 1999 1
1116 高质量GaN外延薄膜的生长 吴学华 物理 1999 1
1117 利用近场光谱研究GaN蓝光二极管的杂质发光 凌勇 电子显微学报 1999 1
1118 异质外延GaN及其三元合金薄膜的RBS/channeling研究 姚淑德 半导体学报 1999 1
1119 应变层超晶格GaN-AlN的电子结构 何国敏 固体电子学研究与进展 1999 1
1120 氮化物半导体GaN的光辅助湿法腐蚀 章蓓 半导体学报 1998 9
1121 我国科学家首次制成氮化镓一维纳米新材料 科技导报 1998 9
1122 在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究 黄大定 半导体学报 1998 9
1123 GaN和相关材料会议概况介绍 从征 激光与光电子学进展 1998 8
1124 高纯氮化镓外延材料的制备 刘祥林 高技术通讯 1998 8
1125 GaN压电效应对载流子浓度的影响 张剑平 半导体学报 1998 7
1126 展望氮化镓器件的光辉未来 激光与光电子学进展 1998 7
1127 MOCVD 两步生长法制备 GaN 量子点 陈鹏 高技术通讯 1998 6
1128 MOCVD生长GaN的两种反应机制 陈鹏 半导体光电 1998 6
1129 氮化镓化合物半导体发光器件和用于生产氮化镓化合物半导体的方法 高 红外 1998 5
1130 硅基GaN外延层微结构的HREM研究 朱健民 电子显微学报 1998 5
1131 六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究 王绍青 电子显微学报 1998 5
1132 (001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面 顾彪 半导体学报 1998 4
1133 APMOCVD生长条件对GaN晶体和光学性质的影响 缪国庆 半导体技术 1998 4
1134 GaN/Al_2O_3(0001)的匹配机制及氮化的作用 徐科 中国激光 1998 4
1135 GaN蓝光材料及其应用 张德恒 山东电子 1998 4
1136 GaN外延衬底LiGaO_2晶体的生长和缺陷 徐科 光学学报 1998 4
1137 JG_3高级合成制动液GAN抗湿添加剂的合成研究 费逸伟 石油商技 1998 4
1138 GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究 臧岚 半导体学报 1998 3
1139 GaN基薄膜材料和器件的最新进展 李玉增 半导体技术 1998 3
1140 MOCVD生长GaN中带尾和激子发光特性研究 宋航 发光学报 1998 3
1141 MOVPE生长GaN过渡层的AFM分析 赵佰军 固体电子学研究与进展 1998 3
1142 电场下应变层量子阱AlN/GaN(001)的子带结构 何国敏 厦门大学学报(自然科学版) 1998 3
1143 Fabrication of GaN epitaxial films on Al_2O_3/Si (001) substrates 汪连山 Science in China,Ser.E 1998 2
1144 GaAs衬底上立方GaN的低温生长 顾彪 稀有金属 1998 2
1145 GaN材料系列的研究进展 宋登元 微电子学 1998 2
1146 氮化镓薄膜生长工艺研究的最新进展 赵谢群 稀有金属 1998 2
1147 氮化镓及其固溶液异结构光二极管 张粹伟 中国照明电器 1998 2
1148 闪锌矿结构GaN、AlN和合金Ga_(1-x)Al_xN光学性质计算 何国敏 厦门大学学报(自然科学版) 1998 2
1149 GSMBE GaN膜的电子输运性质研究 王晓亮 半导体学报 1998 12
1150 立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究 徐大鹏 中国科学A辑 1998 12
1151 分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构 王绍青 物理学报 1998 11
1152 生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究 李国华 半导体学报 1998 11
1153 半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析 韩培德 半导体学报 1998 10
1154 Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备 汪连山 中国科学E辑 1998 1
1155 Excitation Intensity Dependence of Free-exciton Transitions in GaN Grown by Low-pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition Chinese Journal of Lasers 1998 1
1156 GaN薄膜低温外延的ECR-PAMOCVD技术 徐茵 半导体技术 1998 1
1157 GaN中杂质和缺陷的特性 施锦行 半导体情报 1998 1
1158 GaN外延层的拉曼散射研究 李国华 光散射学报 1997 Z1
1159 GaN外延用新晶体衬底LiGaO_2的生长 刘琳 人工晶体学报 1997 Z1
1160 GaN用衬底材料LiGaO_2的完整性研究 刘琳 人工晶体学报 1997 Z1
1161 蓝色GaN基LED和LD单晶基片——MgAl_2O_4晶体生长 杭寅 人工晶体学报 1997 Z1
1162 纳米氮化镓的拉曼光谱研究 罗薇 光散射学报 1997 Z1
1163 GaN光导型紫外探测器 杨凯 高技术通讯 1997 9
1164 GaN P-N结和AlGaN/GaN DH蓝光LED研制成功 林成 高技术通讯 1997 6
1165 GaN激子跃迁的时间分辨光谱学研究 陈光德 光学学报 1997 6
1166 低压MOCVD生长GaN p-n结蓝光LED 张国义 物理 1997 6
1167 GaN 用衬底材料 LiGaO_2 晶体超精密抛光的初步实验 谢伦 光学精密工程 1997 5
1168 GaN材料生长研究 章其麟 半导体情报 1997 5
1169 MOVPE生长GaN的准热大学模型及其相图 段树坤 半导体学报 1997 5
1170 Defect Structure of MOCVD Grown Epitaxial (0001) GaN/Al_2O_3 电子显微学报 1997 4
1171 GaN器件的某些关键工艺及其进展 宋登元 半导体情报 1997 4
1172 氮化镓及其固溶体薄膜的生长与应用 杨英艿 稀有金属 1997 4
1173 氮化镓研究综述 激光与光电子学进展 1997 4
1174 光电子新材料GaN研究进展 谢崇木 半导体情报 1997 4
1175 几种添加剂对Hgans法还原速度的影响 王东彦 华东冶金学院学报 1997 4
1176 提高GaAs晶体质量的一种重要手段 宋群厚 半导体情报 1997 4
1177 GaN材料的GSMBE生长 王晓亮 高技术通讯 1997 3
1178 GaN单晶薄膜的湿法化学刻蚀研究 姚冬敏 南昌大学学报(理科版) 1997 3
1179 GaN基蓝色发光材料与器件 彭英才 半导体杂志 1997 3
1180 SiC和GaN系列蓝色发光二极管的研制 杨田林 山东电子 1997 3
1181 AP-MOCVDGaN材料生长特性 赵佰军 吉林大学自然科学学报 1997 2
1182 MOCVD生长GaN膜的光调制反射谱研究 杨凯 固体电子学研究与进展 1997 2
1183 MOCVD生长的GaN膜的光学性质研究 张荣 半导体学报 1997 2
1184 Preparation of GaN Powder of Nanometer Scale by MOCVD Using DEGA as Precursor Chinese Chemical Letters 1997 2
1185 高质量GaN材料的GSMBE生长 王晓亮 半导体学报 1997 12
1186 用MOCVD技术在Al_2O_3衬底上外延GaN的光致发光研究 高瑛 光子学报 1997 11
1187 用于GaN生长的蓝宝石衬底化学抛光研究 王晓晖 半导体学报 1997 11
1188 Growth of GaN on Magnesium Aluminate Substrate by LP-MOVPE 段树坤 半导体学报 1997 10
1189 AIN、GaN立方晶体的静态性质和AIN/GaN异质结的价带偏移 何国敏 固体电子学研究与进展 1997 1
1190 GaN和Al_xGa_(1-x)N薄膜材料研究进展 陈伟华 材料科学与工程 1997 1
1191 氮化镓发光二极管在可见光光谱区发光 高国龙 红外 1997 1
1192 原子吸收法间接测定感冒通片中双氯灭痛含量的研究 张勇 山西临床医药 1997 1
1193 低压MOVPE外延生长GaN膜的光致发光激发谱研究 段家 半导体学报 1996 8
1194 GaN静态性质的LMTO第一原理计算 何国敏 量子电子学报 1996 6
1195 纳米GaN的制备及HREM观测 张庶元 电子显微学报 1996 6
1196 GaN基蓝光器件的研究进展 郑有炓 光电子技术 1996 4
1197 氮化镓激起了研究蓝－绿光激光器的竞争 李光晓 光电子技术与信息 1996 4
1198 AlN／GaN异质结的价带偏移计算 何国敏 厦门大学学报(自然科学版) 1996 3
1199 GaN的MOVPE生长和m－i－n型蓝光LED的试制 陆大成 高技术通讯 1996 3
1200 GaN系材料的蓝紫色半导体激光器 孙再吉 光电子技术 1996 3
1201 氮化镓的性质及其金属有机化学蒸汽沉淀法 赵育明 现代化工 1996 3
1202 用新前体分子束外延立方GaN 赵谢群 稀有金属 1996 3
1203 在Al_2O_3衬底上GaN的APMOCVD生长 缪国庆 发光学报 1996 2
1204 α－Al_2O_3衬底上生长的GaN膜的光学性质 杨凯 高技术通讯 1996 10
1205 MOCVD生长GaN的喇曼散射谱 童玉珍 红外与毫米波学报 1996 1
1206 闪锌矿和纤锌矿结构GaN静态性质计算 何国敏 厦门大学学报(自然科学版) 1996 1
1207 在蓝宝石衬底上低压MOVPE生长GaN单晶 党小忠 半导体光电 1996 1
1208 GaN：Zn发光的显微观察 李晴棉 发光学报 1995 4
1209 GaN MESFET 曲兰欣 固体电子学研究与进展 1995 2
1210 高亮度GaN系蓝色发光二极管 杨树人 半导体杂志 1995 2
1211 GaN的MOCVD生长 陆大成 半导体学报 1995 11
1212 GaN异质外延的离子化氮源方法 贺仲卿 物理学报 1994 7
1213 GaN薄膜异质外延制备技术的进展 宋登元 半导体光电 1994 4
1214 N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算 吴小山 发光学报 1994 2
1215 原子—分子散射的GES理论与GAN理论 张庆刚 原子与分子物理学报 1993 4
1216 分子束外延生长GaN薄膜的新方法 贺仲卿 物理 1993 10
1217 高功率GaN p—n结蓝色发光二极管 邸建华 液晶与显示 1992 3
1218 宽带隙半导体GaN的快速反应原子束蚀刻 师庆华 液晶与显示 1992 3
1219 MOVPE生长的GaN中有关Zn的电致发光特性 师庆华 液晶与显示 1989 3
1220 GaN深中心Zn的低温瞬态研究 高瑛 发光学报 1987 4
1221 GaN中Zn的均匀掺杂 谢江峰 发光学报 1987 1
1222 GaN发光的几个物理问题 孙亚莉 液晶与显示 1986 Z1
1223 瑞典HGANS AB的熔沟式感应炉炉衬材料 谢维臣 电气应用 1986 4
1224 外延生长条件对GaN形貌影响的研究 公猛男 发光学报 1986 4
1225 气相外延GaN的拉曼散射 孙亚莉 发光学报 1986 3
1226 氮化镓外延单晶中束缚激子辐射复合的偏振特性 张凤玲 发光学报 1986 2
1227 氮化镓晶体生长评述(英文) Dennis F.Elwell 人工晶体学报 1985 Z1
1228 外延生长条件对GaN形貌的影响 公锰男 人工晶体学报 1985 Z1
1229 氮化镓生长系统中源区反应的热力学分析和实验研究 孟广耀 高等学校化学学报 1985 2
1230 群分解EHMO计算机程序的编制及GaN晶体能谱的计算 金俗谦 结构化学 1982 1
1231 气相外延氮化镓掺杂生长的研究 孟广耀 高等学校化学学报 1980 2
1232 气相外延氮化镓掺杂生长的研究 孟广耀 高等学校化学学报 1980 2
1233 GaN气相外延生长的热、动力学和机理(Ⅰ)Ga-HCl-NH_3-Ar系统的热力学分析 孟广耀 中国科学技术大学学报 1980 1
1234 GaN:Zn中两类发光中心的研究 戴仁崧 发光学报 1979 Z1
1235 GaN气相外延生长的热、动力学和机理(1) 孟广耀 发光学报 1979 Z1
1236 GaN气相外延生长的热、动力学和机理(Ⅱ) 孟广耀 发光学报 1979 Z1
1237 对气相外延GaN薄膜生长的研究 黄锡珉 发光学报 1979 Z1
1238 氮化镓电致发光的高效注入机理 G.Jacob 发光学报 1978 1
1239 离子注入GaN的光致发光 J.I.Pankove 发光学报 1978 1
1240 GaN的最佳生长条件及其n—型层、绝缘层的性质 J.Hallais 发光学报 1977 2
1241 用扫描电子显微镜对氮化镓的研究 J.I.Pankove 发光学报 1977 2
1242 氮化镓发光材料和器件的研制 楊萍华 中国科学技术大学学报 1976 Z1
1243 GaN中的低压蓝色电致发光 J.I.Pankove 发光学报 1976 4
1244 在强激发下GaN中的新辐射线 J.H.Hvam 发光学报 1975 6
1245 新型氮化镓发光二极管 发光学报 1975 3
1246 GaN发光二极管 翟劲松 发光学报 1973 4
1247 氮化镓的物理性质 青木昌治 发光学报 1973 4
1248 GaN场致发光二极管 朴友植 发光学报 1972 4
1249 GaN的场致发光 发光学报 1971 10
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